[实用新型]MOS驱动电路有效
| 申请号： | 201820235706.X | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN207884589U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 徐玮 | 申请（专利权）人： | 深圳市欣川科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 任远高 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动芯片 输出引脚 关断 本实用新型 泄流电路 发射极 集电极 低端 高端 电源 输出驱动信号 发射极接地 集电极连接 快速开通 驱动信号 开通 | ||
1.MOS驱动电路，其特征在于：包括电源、驱动芯片、MOS管Q2和MOS管Q3；驱动信号H和L通过驱动芯片的高端输入引脚和低端输入引脚传入驱动芯片，然后通过驱动芯片的高端输出引脚和低端输出引脚分别输出驱动信号HO1和LO1至MOS管Q2的基极和MOS管Q3的基极，MOS管Q2的集电极接电源，MOS管Q2的发射极和MOS管Q3的集电极连接，MOS管Q3的发射极接地，MOS管Q2的发射极和MOS管Q3的集电极之间的节点用于接执行机构；
所述驱动芯片的高端输出引脚与MOS管Q2的基极之间设有第一开通控制与关断泄流电路，所述驱动芯片的低端输出引脚与MOS管Q3的基极之间设有第二开通控制与关断泄流电路；
所述第一开通控制与关断泄流电路和第二开通控制与关断泄流电路均包括相互并联的快速开通支路和关断泄流支路，所述快速开通支路包括相互串联的第一电阻和第一二极管，第一二极管的正极接与之对应MOS管的基极，关断泄流支路包括第二电阻。
2.根据权利要求1所述的MOS驱动电路，其特征在于：所述第二电阻的阻值大于第一电阻。
3.根据权利要求1所述的MOS驱动电路，其特征在于：所述驱动芯片的型号为IRS2181S。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的MOS驱动电路，其特征在于：所述MOS管Q2的集电极与其发射极之间连接有第一RDC吸收回路；
所述MOS管Q3的集电极与其发射极之间连接有第二RDC吸收回路；
所述第一RDC吸收回路和第二RDC吸收回路均包括相互并联后且串联有第一电容的第二二极管和第三电阻，第二二极管的正极接与之对应的MOS管的集电极，第三电阻的一端接与之对应的MOS管的集电极，第二二极管的负极和第三电阻的另一端接第一电容一端，第一电容另一端接与之对应的MOS管的发射极。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的MOS驱动电路，其特征在于：所述MOS管Q2的基极与其发射极之间连接有电阻R62；
所述MOS管Q3的基极与其发射极之间连接有电阻R70；
所述MOS管Q3的发射极连接驱动芯片U16的地。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的MOS驱动电路，其特征在于：所驱动信号H与驱动芯片的高端输入引脚之间设有第一滤波电路；
所述驱动信号L与驱动芯片的低端输入引脚之间设有第二滤波电路。
7.根据权利要求1-3任意一项所述的MOS驱动电路，其特征在于：所述电源与驱动芯片的高侧浮动电压引脚之间还连接有充电限流电阻R59。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市欣川科技有限公司，未经深圳市欣川科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820235706.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
