[实用新型]一种单晶炉四抽气口管道系统

说明书

本实用新型公开了一种单晶炉四抽气口管道系统，包括单晶炉室、主管道、真空阀和真空泵；双抽气口的结构使单晶炉室室内的气流分布和温度场分布不均匀，在远离抽气口严重影响硅棒品质；右下第二抽气支管道和右下第一抽气支管道、右上第二抽气支管道和右上第一抽气支管道与左上第一抽气支管道和左上第二抽气支管道之间连接处均设置有密封圈，且单晶炉室的左右两端的上下两侧均设有抽气管道，采用这种对称结构均匀分布的抽气口设置，同时采用真空泵，真空阀用于真空泵的控制，可以有效的解决传统双抽气口结构使单晶炉室的气流分布和温度场分布不均匀的现象，改善了工艺环境，使用起来操作方便快捷，实用性很高，大大了提高硅棒生产的质量。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅生产的技术领域，具体是一种单晶炉四抽气口管道系统。

背景技术

目前行业内的单晶炉抽气管道，大多采用两个抽气口，其位于下炉室的侧部或炉底，而随着行业水平的发展，炉室尺寸越来越大，双抽气口结构使炉室内的气流分布和温度场分布不均匀，炉内的温度梯度也不对称，在远离抽气口的两个位置常常成为挥发物的聚集点，严重影响硅棒品质。

因此，本领域技术人员提供了一种单晶炉四抽气口管道系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种单晶炉四抽气口管道系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种单晶炉四抽气口管道系统，包括单晶炉室、主管道、真空阀和真空泵；所述单晶炉室的右侧上端设有右上第一抽气支管道，右上第一抽气支管道的另一侧设有右上第二抽气支管道，且右上第二抽气支管道和右上第一抽气支管道的中间设有右上中通管道，单晶炉室的右侧下端设有右下第一抽气支管道，右下第一抽气支管道的另一侧设有右下第二抽气支管道，且右下第二抽气支管道和右下第一抽气支管道的中间设有右下中通管道；

所述单晶炉室的左侧上端设有左上第一抽气支管道，左上第一抽气支管道的另一侧设有左上第二抽气支管道，左上第一抽气支管道和左上第二抽气支管道之间设有左中通管道，且单晶炉室的左侧下端均设有与左上第一抽气支管道和左上第二抽气支管道对应的管道；所述右上中通管道、右下中通管道和左中通管道上均设有主管道，主管道的下侧设有真空阀，主管道的端部设有真空泵；

所述真空泵的内部左侧设有排气口，真空泵的右侧设有吸气口，排气口上设有橡胶球，真空泵的中间设有叶轮，真空泵的内部与叶轮之间设有水环。

作为本实用新型进一步的方案：所述右下第二抽气支管道和右下第一抽气支管道、右上第二抽气支管道右上第一抽气支管道与左上第一抽气支管道和左上第二抽气支管道之间连接处均设置有密封圈。

作为本实用新型再进一步的方案：所述单晶炉室的上侧设有进口，单晶炉室的下侧设有底座。

作为本实用新型再进一步的方案：所述主管道为双层密封结构。

作为本实用新型再进一步的方案：所述水环为循环冷却水。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本装置适用于多种单晶炉抽气场合，双抽气口的结构使单晶炉室室内的气流分布和温度场分布不均匀，炉内的温度梯度也不对称，在远离抽气口的位置常常成为挥发物的聚集点，严重影响硅棒品质；本实用新型的右下第二抽气支管道和右下第一抽气支管道、右上第二抽气支管道和右上第一抽气支管道与左上第一抽气支管道和左上第二抽气支管道之间连接处均设置有密封圈，且单晶炉室的左右两端的上下两侧均设有抽气管道，采用这种对称结构均匀分布的抽气口设置，同时采用真空泵，真空阀用于真空泵的控制，可以有效的解决传统双抽气口结构使单晶炉室的气流分布和温度场分布不均匀的现象，改善了工艺环境，使用起来操作方便快捷，实用性很高，大大了提高硅棒生产的质量。

附图说明