[实用新型]晶圆位置检测装置及涂胶机

说明书

本实用新型涉及一种晶圆位置检测装置和涂胶机，所述晶圆位置检测装置用于当晶圆位于基台上时，检测晶圆中心与基台中心之间的偏差，包括：光源；光量检测器，所述光量检测器的检测端与所述光源相对，用于分别设置于基台所在平面的两侧，用于检测所述光源发出的光到达所述检测端的光量。所述晶圆位置检测装置能够避免晶圆位置偏差造成的涂胶厚度不均匀问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种检测晶圆位置检测装置及涂胶机。

背景技术

光刻工艺在整个集成电路制作工艺过程中的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、成品率和成本有着重要影响。所以，对光刻工艺的稳定性进行研究对保证产品质量有着重要的意义。而光刻胶的涂覆作为光刻工艺的第一步，直接影响着后续工艺和最终图形的质量。涂胶的目的是在基片表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜。常用的光刻胶涂覆方法有喷淋涂覆和旋涂涂覆。喷淋涂覆在涂胶匀性、平整度及效率等方面都要逊于旋涂涂覆。因此目前行业中薄膜电路制作主要采用旋涂涂覆的方式来实现光刻胶的涂覆。

旋转涂胶一般先将晶圆置于涂胶机的晶圆卡盘上的晶圆槽内，然后把光刻胶滴在晶圆的中心先低速摊胶，直到光刻胶覆盖了基片的大部分。然后使晶圆卡盘很快的加速到一个事先定好的速度。在加速过程中，离心力会使光刻胶向晶圆边缘部扩散并且甩走多余的光刻胶，只把平整均匀的光刻胶薄膜留在晶圆表面。在光刻胶被分散开之后，高速旋转还会维持一段时间以便使光刻胶干燥。

将晶圆置于晶圆槽内时，由于晶圆的放置仅依靠机械手臂的固定传输位置决定，有时会发生晶圆偏移卡盘中心，这可能会导致涂胶膜厚不均。光刻胶膜厚不均直接影响曝光时的聚焦及显影后光阻形貌，并且现有技术中，仅能在后续检测时才会接受检测而被查出，届时再进行返工于机台、物料上都是一笔额外花费，并且影响产能。

因此，如何在旋涂光刻胶之前就能发现晶圆与卡盘中心的相对位置进行检测，就能够减少后续返工，提高产品良率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种晶圆位置检测装置及涂胶机，能够在涂胶之前对晶圆位置进行检测，避免由于晶圆位置造成的涂胶膜厚不均匀的问题，减少返工。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆位置检测装置，用于当晶圆位于基台上时，检测晶圆中心与基台中心之间的偏差，包括：光源；光量检测器，所述光量检测器的检测端与所述光源相对，用于分别设置于基台所在平面的两侧，用于检测所述光源发出的光到达所述检测端的光量。

可选的，所述光量检测器包括光量收集模块和信息处理模块；所述光量收集模块与光源相对设置，用于收集光源发出光线的光量；所述信息处理模块与所述光量收集模块连接，用于根据所述光量收集模块获取的光量，输出与光量对应的检测信号。

可选的，还包括：显示装置，与所述光量检测器连接，用于显示所述光量检测器输出的光量曲线。

可选的，所述光源为可见光光源或红外光光源。

可选的，还包括：报错模块，与所述光量检测器连接，用于当所述光量检测器获得的光量变化超过阈值时，输出报错信息。

可选的，还包括：底座，所述光源和所述光量检测器固定于所述底座上，所述底座用于在检测过程中，固定所述晶圆检测装置的位置。

为解决上述问题，本发明还提供一种涂胶机，包括：基台；上述的晶圆位置检测装置。

可选的，还包括至少一个喷头放置位，所述晶圆位置检测装置安装于所述喷头放置位。