[实用新型]静电吸附装置有效
申请号: | 201820191240.8 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN207818551U | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 王敏磊;栾剑峰;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电吸附盘 静电吸附装置 本实用新型 吹扫组件 杂质粒子 晶圆 半导体制造技术 生产周期 处理工序 处理腔室 气体吹扫 人力成本 升降运动 竖直 停机 去除 维护 | ||
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种静电吸附装置。所述静电吸附装置,包括静电吸附盘,还包括设置于所述静电吸附盘中的吹扫组件,用于对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫,且所述吹扫组件能够沿竖直方向进行升降运动。本实用新型能够有效、及时的去除静电吸附盘表面的杂质粒子,不需要将处理腔室停机并进行人工维护,确保了晶圆处理工序正常、高效的进行,减少了人力成本的投入,缩短了晶圆的生产周期。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种静电吸附装置。
背景技术
在晶圆的刻蚀、物理气相沉积和化学气相沉积等工艺步骤中,通常需要采用静电吸附装置来固定和支撑晶圆。静电吸附装置一般包括基座以及设置在基座上用于吸附晶圆的静电吸附盘。静电吸附装置利用静电吸附原理将待加工的晶圆吸附在静电吸附盘表面,避免了晶圆在进行工艺处理过程中发生移位或者错位。
但是,现有的静电吸附装置中的静电吸附盘表面常常会聚集一些杂质粒子,而现有的静电吸附装置仅仅用于吸附晶圆,对于静电吸附盘表面的杂质粒子无任何去除措施,这不仅会导致静电吸附机台产生错误报警,影响晶圆处理工序的正常进行,而且还有可能造成晶圆表面的损伤。目前,对静电吸附装置中静电吸附盘表面杂质粒子的清除,只能依靠工作人员定期开腔、人工维护。而这种定期维护的方式,需要在处理腔室停机的状态下进行,这无疑又增大了晶圆的生产周期。
因此,如何有效去除静电吸附装置中静电吸附盘表面的杂质粒子,确保晶圆处理工序正常、高效的进行,是目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种静电吸附装置,用以解决现有的静电吸附装置中静电吸附盘表面的杂质粒子无法及时去除、影响晶圆处理工序正常进行的问题。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种静电吸附装置,包括静电吸附盘,还包括设置于所述静电吸附盘中的吹扫组件,用于对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫,且所述吹扫组件能够沿竖直方向进行升降运动。
优选的,还包括用于支撑所述静电吸附盘的基座、以及从所述基座延伸至所述静电吸附盘且贯穿所述静电吸附盘的通道,所述吹扫组件设置于所述通道内。
优选的,所述通道沿所述基座的轴向延伸并贯穿所述静电吸附盘的中心。
优选的,所述吹扫组件包括管道、升降器和控制器;所述管道,设置于所述通道内,吹扫气体经所述管道向所述静电吸附盘表面喷射;所述升降器,连接所述控制器、所述管道,用于根据所述控制器的指令控制所述管道在所述通道内沿竖直方向进行升降运动。
优选的,所述控制器,能够通过所述升降器控制所述管道竖直上升至高于所述静电吸附盘吸附表面的第一预设位置,且能够通过所述升降器控制所述管道竖直下降至低于所述静电吸附盘吸附表面的第二预设位置。
优选的,所述控制器还用于检测所述静电吸附装置是否发生错误报警,若是,则通过所述升降器控制所述管道竖直上升至高于所述静电吸附盘吸附表面的第一预设位置,并开始向所述静电吸附盘表面进行气体吹扫。
优选的,还包括真空泵,所述真空泵用于吸收经所述吹扫组件吹扫的杂质粒子。
优选的,所述真空泵设置于所述基座下方,且所述真空泵的轴线与所述基座的轴线重合。
优选的,所述真空泵包括涡轮分子泵和/或干式真空泵。
优选的,所述气体为惰性气体。
本实用新型提供的静电吸附装置,通过在静电吸附盘中增加一能够沿竖直方向升降运动的吹扫组件,以对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫,从而能够有效、及时的去除静电吸附盘表面的杂质粒子,不需要将处理腔室停机并进行人工维护,确保了晶圆处理工序正常、高效的进行,减少了人力成本的投入,缩短了晶圆的生产周期。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造