[实用新型]静电吸附装置有效
申请号: | 201820191240.8 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN207818551U | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 王敏磊;栾剑峰;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电吸附盘 静电吸附装置 本实用新型 吹扫组件 杂质粒子 晶圆 半导体制造技术 生产周期 处理工序 处理腔室 气体吹扫 人力成本 升降运动 竖直 停机 去除 维护 | ||
1.一种静电吸附装置,包括静电吸附盘,其特征在于,还包括设置于所述静电吸附盘中的吹扫组件,用于对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫,且所述吹扫组件能够沿竖直方向进行升降运动。
2.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,还包括用于支撑所述静电吸附盘的基座、以及从所述基座延伸至所述静电吸附盘且贯穿所述静电吸附盘的通道,所述吹扫组件设置于所述通道内。
3.根据权利要求2所述的静电吸附装置,其特征在于,所述通道沿所述基座的轴向延伸并贯穿所述静电吸附盘的中心。
4.根据权利要求3所述的静电吸附装置,其特征在于,所述吹扫组件包括管道、升降器和控制器;所述管道,设置于所述通道内,吹扫气体经所述管道向所述静电吸附盘表面喷射;所述升降器,连接所述控制器、所述管道,用于根据所述控制器的指令控制所述管道在所述通道内沿竖直方向进行升降运动。
5.根据权利要求4所述的静电吸附装置,其特征在于,所述控制器,能够通过所述升降器控制所述管道竖直上升至高于所述静电吸附盘吸附表面的第一预设位置,且能够通过所述升降器控制所述管道竖直下降至低于所述静电吸附盘吸附表面的第二预设位置。
6.根据权利要求5所述的静电吸附装置,其特征在于,所述控制器还用于检测所述静电吸附装置是否发生错误报警,若是,则通过所述升降器控制所述管道竖直上升至高于所述静电吸附盘吸附表面的第一预设位置,并开始向所述静电吸附盘表面进行气体吹扫。
7.根据权利要求2所述的静电吸附装置,其特征在于,还包括真空泵,所述真空泵用于吸收经所述吹扫组件吹扫的杂质粒子。
8.根据权利要求7所述的静电吸附装置,其特征在于,所述真空泵设置于所述基座下方,且所述真空泵的轴线与所述基座的轴线重合。
9.根据权利要求7所述的静电吸附装置,其特征在于,所述真空泵包括涡轮分子泵和/或干式真空泵。
10.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述气体为惰性气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造