[实用新型]低压扩散通源装置、PN结制作设备以及电池生产系统有效
申请号: | 201820160642.1 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN207883657U | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 和江变;张鸿飞 | 申请(专利权)人: | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王卫忠;袁礼君 |
地址: | 010010 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源瓶 掺杂源 扩散装置 出气阀 出气管 进气阀 进气管 本实用新型 电池生产 制作设备 第一端 扩散 伸入 液面 开关状态保持 产品报废 惰性气源 负压状态 负压作用 光伏电池 开关状态 事故概率 储存 进口 出口 制造 | ||
本实用新型涉及光伏电池制造技术,提出一种低压扩散通源装置、PN结制作设备以及电池生产系统,低压扩散通源装置包括:源瓶、进气管、出气管。源瓶用于储存掺杂源液;进气管第一端与惰性气源连接,第二端通过源瓶的进口伸入掺杂源液的液面以下;出气管第一端与低压扩散装置连接,第二端通过源瓶的出口伸入掺杂源液的液面以上;其中,出气管与进气管上分别设置有进气阀和出气阀,且进气阀与出气阀的开关状态相同。本实用新型通过将进气阀与出气阀的开关状态保持一致,一方面,避免了源瓶长期处于负压状态,降低了源瓶损坏的事故概率;另一方面,避免了在非通源状态下,源瓶内的掺杂源在负压作用下进入低压扩散装置,导致低压扩散装置内产品报废。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池制造技术,尤其涉及一种低压扩散通源装置、PN结制作设备及电池生产系统。
背景技术
光伏发电的主要原理是半导体的光电效应。光子照射到金属或半导体上时,它的能量可以被半导体或金属中某个电子全部吸收,电子吸收的能量足够大,能克服半导体或金属内部引力做功,离开半导体或金属表面逃逸出来,成为光电子。例如,硅原子有4个外层电子,如果在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子,就成为N型半导体;若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子,形成P型半导体。当P型和N型结合在一起时,接触面就会形成电势差,成为太阳能电池。当太阳光照射到PN结后,空穴由P极区往N极区移动,电子由N极区向P极区移动,形成电流。
相关技术中,在进行上述掺杂过程中,一种方式是采用低压扩散的方式,如图1、图2所示,图1为相关技术中低压扩散原理图。图2为相关技术中低压扩散通源装置的结构示意图。图中,硅片位于低压扩散装置1中,低压扩散装置1的进气管2与源瓶3的出气管4连通,低压扩散装置1的尾气管5与真空泵6连通,真空泵6对低压扩散装置1进行抽气使得低压扩散装置内处于负压状态。
然而,相关技术中,由于本领域中整套低压扩散设备一般是采用电脑程序进行自动控制,出于对于真空泵以及低压扩散装置联动控制稳定性的信任,所以仅在源瓶3进气管7设有控制阀8,源瓶3出气4管未设控制阀,由于低压扩散装置与源瓶为常通状态,若整个系统的自动控制程序出错,导致真空泵运转不正常。一方面,低压扩散装置造成的非正常压力状态会传递到源瓶中,有可能引起源瓶破碎。另一方面,若低压扩散装置在进舟或出舟工序充气过压,会在源瓶内形成相对高压,由于进气管7内是低压气体,可能导致掺杂源液被压入进气管7内,也有可能由于水平溢流到达控制阀8的位置,从而有可能在更换源瓶时发生泄漏,或者在控制阀8打开时,掺杂源液扩散到外部供气管,也可能发生泄漏。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
为解决现有技术的低压扩散通源装置中源瓶保护措施不足的问题,本实用新型的目的在于提供一种低压扩散通源装置、PN结制作设备及电池生产系统,该低压扩散通源装置通过在出气管上设置与进气管上进气阀同步控制的出气阀,避免了源瓶处于非正常负压状态,降低了源瓶损坏的事故概率。
根据本实用新型的一个方面,提供一种低压扩散通源装置,用于提供低压扩散装置需要的掺杂气体,包括:源瓶、进气管以及出气管。源瓶具有用于储存掺杂源液的容置空间,所述源瓶瓶身设有接通所述容置空间进口与出口;进气管第一端与惰性气源连接,第二端通过所述源瓶的进口伸入所述掺杂源液的液面以下;出气管第一端与低压扩散装置连接,第二端通过所述源瓶的出口伸入所述掺杂源液的液面以上;其中,所述出气管与所述进气管上分别设置有进气阀和出气阀,且所述进气阀与所述出气阀并联受控,两者同步开启或截止。
在本实用新型的一种示例性实施例中,该低压扩散通源装置还包括:
恒温装置,位于所述源瓶外侧,用于为所述源瓶提供恒温环境。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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