[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201820146125.9 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN208045458U | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 绁竣淏 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板处理装置 本实用新型 基板处理空间 加热腔室 物质气化 逐渐减小 发热部 上端 基板 腔室 下端 | ||
1.一种基板处理装置,所述基板处理装置使基板上的物质气化或干燥,包括:
本体,包括用于提供基板处理空间的腔室;
发热部,用于加热所述腔室内部;以及
本体发热部,配置于所述本体的内侧表面与所述本体的上部表面相接的角部以及所述本体的内侧表面与所述本体的下部表面相接的角部中的至少一处,
其中,所述本体的下部具有横截面积从下部上端到下部下端逐渐减小的形状。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述本体的上部具有横截面积从上部下端到上部上端逐渐减小的形状。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述本体的最上端角部和所述本体的最下端角部中的至少一处上进一步配置有所述本体发热部。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述本体的正截面的形状呈六边形。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述本体的上部或所述本体的下部呈棱锥状。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述物质在所述本体内侧表面凝集并沿着所述内侧表面向下流动,从而被捕集到所述本体的下端。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述本体发热部将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃,以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
温度控制部,所述温度控制部配置于所述本体的外侧表面,用于控制所述本体的内侧表面的温度,
在所述本体的正面形成有使所述基板出入的出入口,并且设置有用于开闭所述出入口的门,
在所述门上设置有用于调节所述门的温度的单元。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度控制部将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃,以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面,
用于调节所述门的温度的单元将所述门与所述出入口相接的所述本体的部分的温度保持在50℃至250℃,以防止所述物质冷凝于所述门与所述出入口相接的所述本体的部分。
10.根据权利要求7或9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述物质是在50℃至250℃下被气化的挥发性物质。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述发热部以及所述本体发热部包括从所述腔室的一侧表面连通到另一侧表面的棒状的发热体。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
气体供给部,与所述腔室的外部一侧表面连接,用于向所述腔室内供给基板处理气体;以及
气体排出部,与所述腔室的外部另一侧表面连接,用于向外部排出所述腔室内的基板处理气体。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
所述气体供给部和所述气体排出部中的至少一个还具有用于排出所述物质的泄口。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述腔室的至少一个侧表面上形成有多个物质排出孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造