[实用新型]一种多层一体式空燃比传感器芯片

说明书

本实用新型公开了一种多层一体式空燃比传感器芯片，其特征是包括氧化铝层、铂A层、锆基板、锆铝层锆多、铂B层、空腔、扩散障层、锆铝层铝多、铂C层、铂D层、保护层和加热体共同组成芯片整体，所述芯片整体共有二十六层，所述芯片整体中每相邻的两层材料成分和组成都不相同，芯片整体在同一烧结温度曲线下共烧成形。本实用新型整体结合紧密，无断裂、分层、翘曲和脱落缺陷，芯片整体具有传导氧负离子、催化氧气、控制气体扩散速率、绝缘电流和过滤气体的功能。

技术领域

本实用新型涉及芯片，具体属于一种多层一体式空燃比传感器芯片。

背景技术

空燃比传感器属于汽车氧传感器的第五代产品，是目前市场上最先进的氧传感器，相比传统的氧传感器具有空燃比检测范围广、控制精度高、启动速度快、响应时间短、在恶劣环境下工作稳定等优点。它正逐步成为氧传感器市场的主流产品，如本田、丰田、马自达、日产等日系车，大众、通用、标致等欧美系车都采用空燃比传感器控制汽车发动机的喷油。目前国内氧传感器生产企业技术还很落后，大多数企业只从事简单的产品组装，而真正能够生产出管式氧传感器核心部件-空燃比传感器芯片的企业非常少，到目前为止，仍有很多的技术问题没有解决。由于空燃比传感器芯片技术在敏感材料、工作原理、制造工艺等诸多方面涉及电化学、催化化学、界面化学、材料学、粉末冶金学、微电子学等众多领域的高精技术。国际上真正掌握空燃比传感器芯片关键生产工艺和技术，能进行批量生产的厂家也只有德国BOSCH和日本NGK公司，而他们对相关工艺技术进行严格保密。

实用新型内容

本实用新型提供一种多层一体式空燃比传感器芯片，通过对芯片主体、保护层和加热体的整体研发及优化设计组合，突破了空燃比传感器芯片关键生产工艺和技术，打破了国外公司对空燃比传感器芯片生产制造的严格保密统治。同时，本实用新型整体结合紧密，无断裂、分层、翘曲和脱落缺陷，芯片整体具有传导氧负离子、催化氧气、控制气体扩散速率、绝缘电流和过滤气体的功能。

本实用新型所采用的技术方案如下：

一种多层一体式空燃比传感器芯片，其特征是有芯片主体、保护层和加热体共同组成芯片整体，所述芯片主体有氧化铝层、铂A层、锆基板、锆铝层锆多、铂B层、空腔、扩散障层、锆铝层铝多、铂C层、铂D层，所述芯片主体中有六层氧化铝层、三层锆基板、两层锆铝层锆多，所述第一层氧化铝层上面有第一层锆基板，第一层锆基板上面有第二层氧化铝层，第二层氧化铝层上面有铂D层，铂D层上面有第三层氧化铝层，第三层氧化铝层上面有第二层锆基板，第二层锆基板上面有第一层锆铝层锆多，第一层锆铝层锆多上面有铂C层，铂C层上面有第四层氧化铝层，第四层氧化铝层上面有锆铝层铝多，锆铝层铝多上面有第五层氧化铝层，锆铝层铝多的外侧有空腔，扩散障层位于空腔内部，第五层氧化铝层上面有铂B层，铂B层上面有第二层锆铝层锆多，第二层锆铝层锆多上面有第三层锆基板，第三层锆基板上面有铂A层，铂A层上面有第六层氧化铝层，所述加热体有1～4层，保护层有4～7层，加热体位于芯片主体的内部，保护层位于芯片主体内部或芯片主体外表面。

所述芯片整体共有二十六层，芯片整体中每相邻的两层材料成分和组成都不相同，芯片整体在同一烧结温度曲线下共烧成形。

与已有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

通过对芯片主体、保护层和加热体整体研发及主体优化设计，制造出一种多层一体式空燃比传感器芯片，该芯片整体结合紧密，无断裂、分层、翘曲和脱落缺陷，同时保证各层功能都能实现，芯片整体具有传导氧负离子、催化氧气、控制气体扩散速率、绝缘电流和过滤气体的功能。突破了空燃比传感器芯片关键生产工艺和技术，打破了国外公司对空燃比传感器芯片生产制造的严格保密统治。

附图说明

图1为本实用新型芯片主体结构示意图；

图2为本实用新型芯片整体图。

具体实施方式