[实用新型]一种多层一体式空燃比传感器芯片

权利要求书

1.一种多层一体式空燃比传感器芯片，其特征是有芯片主体、保护层和加热体共同组成芯片整体，所述芯片主体有氧化铝层、铂A层、锆基板、锆铝层锆多、铂B层、空腔、扩散障层、锆铝层铝多、铂C层、铂D层，所述芯片主体中有六层氧化铝层、三层锆基板、两层锆铝层锆多，所述第一层氧化铝层上面有第一层锆基板，第一层锆基板上面有第二层氧化铝层，第二层氧化铝层上面有铂D层，铂D层上面有第三层氧化铝层，第三层氧化铝层上面有第二层锆基板，第二层锆基板上面有第一层锆铝层锆多，第一层锆铝层锆多上面有铂C层，铂C层上面有第四层氧化铝层，第四层氧化铝层上面有锆铝层铝多，锆铝层铝多上面有第五层氧化铝层，锆铝层铝多的外侧有空腔，扩散障层位于空腔内部，第五层氧化铝层上面有铂B层，铂B层上面有第二层锆铝层锆多，第二层锆铝层锆多上面有第三层锆基板，第三层锆基板上面有铂A层，铂A层上面有第六层氧化铝层，所述加热体有1～4层，保护层有4～7层，加热体位于芯片主体的内部，保护层位于芯片主体内部或芯片主体外表面。

2.根据权利要求1所述的一种多层一体式空燃比传感器芯片，其特征在于所述芯片整体共有二十六层，芯片整体中每相邻的两层材料成分和组成都不相同，芯片整体在同一烧结温度曲线下共烧成形。