[实用新型]一种厚度量测仪量测治具有效
申请号: | 201820143581.8 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN207852619U | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 吴秋明;陈志远;聂伟;孟强;姜红涛 | 申请(专利权)人: | 江苏汇成光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 董旭东 |
地址: | 225128 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 支撑环 支撑架 量测 定位凹槽 中心孔 本实用新型 厚度量测 环形凸台 支撑筋 底座 孔壁 台盘 治具 测量领域 测量效率 匹配设置 同轴设置 一体设置 直接测量 周向均布 根连接 上端面 外周 背面 平行 | ||
本实用新型公开了晶圆测量领域内的一种厚度量测仪量测治具,包括支撑架,支撑架设置为环形,支撑架的中部设有晶圆孔,晶圆孔的孔径与晶圆的外径相匹配设置,晶圆孔内设置有至少两条平行的支撑筋,支撑筋的两端均与晶圆孔孔壁连为一体设置,所述支撑架的左侧和右侧均设置有定位凹槽,定位凹槽与量测台盘相对应设置。所述量测台盘包括底座,底座上设有环形凸台,环形凸台上也设有定位凹槽一,环形凸台的中心孔内同轴设置有支撑环,支撑环的外径小于中心孔的孔径,支撑环外周与中心孔孔壁之间周向均布有至少4根连接杆,支撑环的上端面位于环形凸台上端面的下方。本实用新型能够直接测量晶圆的厚度,提高测量效率,操作简单,保护晶圆的背面。
技术领域
本实用新型属于晶圆测量领域,特别涉及一种厚度量测仪量测治具。
背景技术
半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后的测试组成。塑封之后,还要进行一系列操作,如后固化、切筋和成型、电镀以及打印等工艺。典型的封装工艺流程为:划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印、切筋和成型、外观检查、成品测试和包装出货。晶圆是用于生产芯片的必不可少的一部分。
现有技术中,通常采用厚度量测仪测量晶圆的厚度,厚度量测仪接受晶圆发出的光学信号,根据晶圆的折射率计算出晶圆的厚度,其不足之处在于:厚度量测仪的量测台盘中间是镂空的,晶圆会从中间镂空处掉落,无法直接测量研磨后的晶圆的厚度。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种厚度量测仪量测治具,能够直接测量研磨后晶圆的厚度,同时可以测量合框后的晶圆,提高测量效率,操作简单,一步到位,保护晶圆的背面。
本实用新型的目的是这样实现的:一种厚度量测仪量测治具,包括支撑架,支撑架设置为环形,支撑架的中部设有晶圆孔,晶圆孔的孔径与晶圆的外径相匹配设置,晶圆孔内设置有至少两条平行的支撑筋,支撑筋的两端均与晶圆孔孔壁连为一体设置,所述支撑架的左侧和右侧均设置有定位凹槽,定位凹槽与量测台盘相对应设置。
本实用新型工作时,将治具支撑在量测台盘上,再将晶圆放在支撑架上,支撑架遮挡住支撑环的内部通孔,可以避免晶圆从内部通孔掉落下去,实现了直接测量研磨后的晶圆;合框后的晶圆也可以放在治具上,进行厚度检测。与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:能够直接测量研磨后的晶圆,也可以在不改变原来测量方案的基础上,检测合框后的晶圆。本治具提高了测量效率,操作简单,一步到位,可以保护晶圆的背面。
作为本实用新型的进一步改进,所述量测台盘包括底座,底座上设有环形凸台,环形凸台上也设有定位凹槽一,环形凸台的中心孔内同轴设置有支撑环,支撑环的外径小于中心孔的孔径,支撑环外周与中心孔孔壁之间周向均布有至少4根连接杆,支撑环的上端面位于环形凸台上端面的下方。将支撑架放在支撑环上,使得环形凸台和支撑架上的定位凹槽位置对应,支撑架即摆放到位。
为了保证支撑架摆放到位,所述支撑架的外径与环形凸台中心孔的孔径相匹配,支撑架同轴支撑在支撑环上。
作为本实用新型的进一步改进,所述晶圆下端面粘贴有合框胶带,合框胶带上粘贴有与晶圆同轴的环形外框,晶圆与环形外框均支撑在支撑架上,晶圆上端面与环形凸台上端面相齐平。通过合框胶带将晶圆与环形外框进行合框,合框后的晶圆可以支撑在治具上进行厚度检测,保护晶圆背面。
作为本实用新型的进一步改进,所述晶圆支撑在支撑架上,晶圆与晶圆孔同轴。晶圆放在治具上,可以直接检测晶圆的厚度。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的立体结构示意图。
图3为量测台盘的俯视图。
图4为图3的AA向剖视图。
图5为治具放置在量测台盘上的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造