[实用新型]一种低能耗链式传输真空刻蚀和镀膜设备有效
申请号: | 201820141072.1 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN207896066U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 上官泉元;邹开峰;胡胜尧;庄正军;候岳明;朱广东 | 申请(专利权)人: | 常州比太黑硅科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 张红;程立民 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卸载腔 装载腔 真空泵 传输真空 镀膜设备 泵管路 低能耗 工艺腔 刻蚀 链式 节拍 设备占地空间 本实用新型 程序控制 设备工艺 设备恢复 生产节拍 协调控制 依次设置 硬件控制 有效减少 工艺泵 回填 载板 消耗 干涉 制造 保证 服务 | ||
本实用新型公开了一种低能耗链式传输真空刻蚀和镀膜设备,包括按工艺顺序依次设置的装载腔、工艺腔及卸载腔,工艺腔通过泵管路对应设置有工艺泵;装载腔与卸载腔通过泵管路连接至同一台真空泵,通过控制载板进出装载腔和卸载腔的节拍和流程并充分利用真空泵工作间歇时间以实现一个真空泵同时服务于装载腔和卸载腔;且当设备由于故障出现装载腔和卸载腔节拍干涉时,通过程序控制卸载腔优先工作以保证设备工艺顺畅,从而使设备恢复到正常的生产节拍。通过一台真空泵协调控制装载腔及卸载腔,节省一台真空泵的制造费用和硬件控制器件投入,且大大减少装载腔和卸载腔回填气体的消耗,并有效减少设备占地空间及使用方成本。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池硅片生产技术领域,特别涉及一种低能耗链式传输真空刻蚀和镀膜设备。
背景技术
在链式传输真空镀膜或刻蚀工艺设备上,为提高生产节拍,一般设备需要配备装载腔(进样腔)、工艺腔和卸载腔(出样腔)三个腔室,通过装载和卸载腔来实现待加工物料在真空状态下与工艺腔进行对接,充分利用工艺腔,提高效率和节约能耗。
参考图1,常规的链式传输真空镀膜或刻蚀工艺设备依次包括装载腔11、工艺腔21和卸载腔31,装载腔11通过泵管路41单独连接有装载泵12,工艺腔21通过泵管路41单独连接有工艺泵22,卸载腔31通过泵管路41单独连接有卸载泵32。但是,由于传统方式的装载腔11和卸载腔31都各自使用一个独立的真空泵组单独控制且互不干涉,因此存在设备投入成本高及占地面积大的缺点;且由于装载泵12和卸载泵32单独轮流工作时的气体回填及重新启动会造成大量的能量消耗,因而使用成本也较高。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种低能耗链式传输真空刻蚀和镀膜设备,包括:
按工艺顺序依次设置的装载腔、工艺腔及卸载腔,所述工艺腔通过泵管路对应设置有工艺泵;
所述装载腔与卸载腔通过泵管路连接至同一台真空泵,通过控制载板进出所述装载腔和卸载腔的节拍和流程并充分利用所述真空泵工作间歇时间以实现一个所述真空泵同时服务于所述装载腔和卸载腔;且当设备由于故障出现所述装载腔和卸载腔节拍干涉时,通过程序控制所述卸载腔优先工作以保证设备工艺顺畅,从而使设备恢复到正常的生产节拍。
其中,所述真空泵的同一个进出口设置的泵管路分为两路并联的泵管支路分别连接至所述装载腔与卸载腔,并在所述装载腔及卸载腔的泵管支路入口处设置阀门以实现交替控制所述装载腔与卸载腔。
通过上述技术方案,本实用新型具有如下优点:
(1)通过一台真空泵协调控制装载腔及卸载腔,节省一台真空泵的制造费用和硬件控制器件投入,且一台真空泵待机状态下的能耗约为正常工作状态下40%的能耗,节省一台真空泵的冷却水和氮气使用量;
(2)减少占地空间:洁净室建造和使用成本较高,一台真空泵组占地约1.5-2平方米,节省一台真空泵可以有效减少设备占地空间并减少设备使用方成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为现有技术的链式传输真空刻蚀和镀膜设备的结构示意图;
图2为本实用新型实施例所公开的一种低能耗链式传输真空刻蚀和镀膜设备的结构示意图。
图中数字表示:
11.装载腔 12.装载泵 13.真空泵
21.工艺腔 22.工艺泵 31.卸载腔
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造