[实用新型]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括基座、红外芯片、红光芯片、镀红光窄带反射膜、耦合透镜、中心穿设有光纤的陶瓷插针体及限位套，所述红外芯片、所述镀红光窄带反射膜、所述耦合透镜及所述限位套沿第一方向依次间隔设置于所述基座上，所述陶瓷插针体位于所述限位套内且所述光纤具有靠近所述耦合透镜的光纤入射端及远离所述耦合透镜的光纤发射端，所述红光芯片沿与所述第一方向相交的第二方向设置于所述基座上，所述镀红光窄带反射膜所在平面与所述第二方向相交，所述红光芯片打出的红光经过所述镀红光窄带反射膜反射后与从所述红外芯片打出的红外激光一并进入所述耦合透镜耦合后形成一聚焦点，所述聚焦点打在所述光纤入射端。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述镀红光窄带反射膜所在平面与所述第一方向及所述第二方向均相交。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括平面镜，所述光纤入射端与所述光纤发射端分别与所述陶瓷插针体的两端平齐，所述平面镜的与所述陶瓷插针体设有所述光纤入射端的一端相贴合并与所述耦合透镜间隔设置，所述聚焦点位于所述平面镜与所述陶瓷插针体的贴合面上。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括尾纤及套接于所述尾纤外的连接件，所述连接件与所述限位套可拆卸连接，所述尾纤包括尾纤入射端与尾纤发射端，所述尾纤入射端与所述光纤发射端对接。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述连接件与所述限位套套接。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述耦合透镜为非球面耦合透镜。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括设置于所述基座上的第一正极、第一负极、第二正极及第二负极，所述第一正极与所述第一负极均与所述红外芯片电连接，所述第二正极与所述第二负极均与所述红光芯片电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述基座远离所述限位套的一端设有多个间隔设置的定位孔，所述第一正极、所述第一负极、所述第二正极及所述第二负极分别穿设于相对应的多个所述定位孔内固定。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括保护套，所述保护套套接于所述基座外并包围所述红外芯片、所述红光芯片、所述镀红光窄带反射膜及所述耦合透镜，所述限位套的一端位于所述保护套内，所述限位套的另一端突伸出所述保护套。

10.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述基座由无氧铜镀金制作而成。