[实用新型]气体激光装置有效

专利信息
申请号: 201820101827.5 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN207925886U 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 都丸仁;奈良久 申请(专利权)人: 极光先进雷射株式会社
主分类号: H01S3/02 分类号: H01S3/02;H01S3/034
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光介质气体 排出 腔室 气体激光装置 第二排气口 口径 本实用新型 第一排气口 钝化过程 维修 大口径 收容
【说明书】:

本实用新型提供一种气体激光装置,包括:腔室,其内部收容有激光介质气体;第一排气口,其具有第一口径,从所述腔室排出至少一部分所述激光介质气体;以及第二排气口,其具有比所述第一口径大的第二口径,从所述腔室排出至少一部分所述激光介质气体。由此,在维修的钝化过程中,能通过大口径的第二排气口在短时间内排出大量气体,能够降低维修时间。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种气体激光装置。

背景技术

伴随着半导体集成电路的细微化、高集成化,在半导体曝光装置中要求提高分辨率。以下将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此,从曝光用光源输出的光的波长在变短。在曝光用光源中代替现有的水银灯而使用了气体激光装置。例如,使用输出波长248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长193nm的紫外线的ArF准分子激光装置,作为曝光用的气体激光装置。

现有技术中,例如放电激励式气体激光装置的腔室内配置有一对放电电极,在所述一对放电电极之间能够进行放电。此外,在腔室内收容有激光介质气体,并且腔室侧壁上设置有供气口和排气口,分别与供气设备和排气设备连接。

应当注意,上面对背景技术的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

发明人发现:在气体激光装置工作时,供气设备通过该供气口向所述腔室提供激光介质气体,排气设备通过该排气口将劣化的激光介质气体排出。通常的工作情况下,气体激光装置一边进行工作,一边进行微量的供气和排气,因此排气口的口径比较小(例如几mm即可)。

但是,在对气体激光装置进行维修时,腔室从激光框架中被导出到钝化框架后需要进行钝化过程;其中,在供气设备提供了激光介质气体后,需要通过加热器对腔室加热规定时间,然后通过排气设备排出该激光介质气体。在钝化过程中,需要对腔室内的所有气体进行排出,但目前的排气口的口径较小,从而导致排气时间较长。

为了解决上述问题,本实用新型提供一种气体激光装置;设置具有第一口径的第一排气口以及具有比所述第一口径大的第二口径的第二排气口。

根据本实用新型实施例的第一方面,提供了一种气体激光装置,包括:

腔室,其内部收容有激光介质气体;

第一排气口,其具有第一口径,从所述腔室排出至少一部分所述激光介质气体;以及

第二排气口,其具有比所述第一口径大的第二口径,从所述腔室排出至少一部分所述激光介质气体。

根据本实用新型实施例的第二方面,其中,所述气体激光装置还包括:

激光框架,其收容所述腔室。

根据本实用新型实施例的第三方面,其中,所述激光框架具有维修面;所述激光框架构成为通过使所述维修面打开而引导出所述腔室。

根据本实用新型实施例的第四方面,其中,所述第一排气口被设置在所述腔室的靠近所述维修面的第一侧。

根据本实用新型实施例的第五方面,其中,所述第二排气口被设置在所述腔室的与设置有所述第一排气口的第一侧相反的第二侧。

根据本实用新型实施例的第六方面,其中,所述气体激光装置还包括:

排气设备,其在所述气体激光装置工作时通过第一排气阀和第一排气管道与所述第一排气口连接;在所述气体激光装置维修时通过第二排气阀和第二排气管道与所述第二排气口连接。

根据本实用新型实施例的第七方面,其中,所述气体激光装置还包括:

供气口,其向所述腔室提供所述激光介质气体。

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