[实用新型]一种应用于副边同步整流MOS管的有源吸收电路

说明书

本实用新型公开了一种应用于副边同步整流MOS管的有源吸收电路，包括驱动电路和箝位电路，所述驱动电路用于输入所述驱动信号DRV1，将所述驱动信号DRV1反向为负脉冲驱动信号DRV2，并将高电平箝位在零电平，确保输出驱动信号DRV3；所述箝位电路用于根据所述驱动电路输出的所述驱动信号DRV3箝位住副边同步整流MOS管上的电压应力，输出所述驱动信号DRV1。本实用新型通过提供的有源吸收电路控制副边同步整流MOS管的开关，吸收副边同步整流MOS管关断时的电压应力，且减少了开关损耗，本实用新型可以做到无损吸收，降低副边同步整流MOS管的电压应力，减少副边同步整流MOS管的关断损耗,提高电源整机的效率。

技术领域

本实用新型涉及直流通信电源技术领域，特别是涉及一种应用于副边同步整流MOS管的有源吸收电路。

背景技术

直流通信电源常规采用ATCA架构，48V母线电源的要求对应为宽输入电压范围、高功率密度及大的输出电流。为了满足宽输入电压范围要求，电源只能通过选用硬开关PWM技术；为实现高功率密度，电源只能通过采用高的开关频率，来减小磁性器件的体积，满足小型化要求；而满足大的输出电流要求，电源一般采用副边同步整流技术，通过降低导通损耗，来进一步提高电源的高效率。副边同步整流MOS管在关断时，无法实现ZVS(ZeroCurrentSwith，零电流)关断，也即在副边同步整流MOS管关断过程中将流过该副边同步整流MOS管的电流从导通电流变化为零电流，因此，产生较高的变化斜率DI/DT，但由于该副边同步整流MOS管与变压器的漏感作用，则产生很高的瞬间尖峰电压DV/DT，若该尖峰电压在没有抑制的情况下，会成倍于副边同步整流MOS管关断的平台电压。

为了保证器件的可靠性，副边同步整流MOS管器件需要在满足最大电压应力下有一定的降额，无论是基于副边同步整流MOS管关断平台，还是基于副边同步整流MOS管关断尖峰选择副边同步整流MOS管都需要考虑MOS管的耐压等级，因此，使两者的MOS管选型有很大的差别，基于副边同步整流MOS管关断尖峰选择的MOS管的耐压等级，会比基于副边同步整流MOS管关断平台选择的MOS管的耐压等级高两倍以上，但是越高耐压等级的MOS管，其内阻越高，导致寄生参数越恶劣，会严重影响电源的整机效率。

因此，如何降低副边同步整流MOS管的电压应力，从而选用低耐压等级，低内阻的副边同步整流MOS管，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种应用于副边同步整流MOS管的有源吸收电路，以实现降低副边同步整流MOS管的电压应力，以达到选型低耐压低内阻的MOS管，同时提高电源的整机效率。

为达到上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

一种应用于副边同步整流MOS管的有源吸收电路，包括驱动电路和箝位电路，其中：

所述驱动电路的输入端与驱动信号DRV1相连，所述驱动电路的输出端与所述箝位电路的输入端相连，所述箝位电路的输出端输出所述驱动信号DRV1，所述驱动电路的接地端和所述箝位电路的接地端与公共地端相连；

所述驱动电路用于输入所述驱动信号DRV1，将所述驱动信号DRV1反向为负脉冲驱动信号DRV2，并将高电平箝位在零电平，确保输出驱动信号DRV3；

所述箝位电路用于根据所述驱动电路输出的所述驱动信号DRV3箝位住副边同步整流MOS管上的电压应力，输出所述驱动信号DRV1。

优选的，所述驱动电路包括驱动电容、箝位二极管、延时电阻、分压电阻以及反相箝位二极管，其中：

所述驱动电容的一端输入所述驱动信号DRV1，所述驱动电容将所述驱动信号DRV1反相为所述负脉冲驱动信号DRV2，所述驱动电容的另一端与所述箝位二极管的阳极相连，所述箝位二极管的阴极与所述公共地端相连；