[实用新型]一种应用于副边同步整流MOS管的有源吸收电路有效

专利信息
申请号: 201820074590.6 申请日: 2018-01-17
公开(公告)号: CN207766141U 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 周筱珍;符志平 申请(专利权)人: 深圳市雷能混合集成电路有限公司
主分类号: H02M1/34 分类号: H02M1/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 518055 广东省深圳市南山区桃源街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 同步整流MOS管 副边 驱动信号 本实用新型 电压应力 吸收电路 驱动电路 箝位电路 箝位 驱动电路输出 输出驱动信号 电源整机 关断损耗 开关损耗 负脉冲 高电平 零电平 关断 无损 吸收 应用 输出
【权利要求书】:

1.一种应用于副边同步整流MOS管的有源吸收电路,其特征在于,包括驱动电路和箝位电路,其中:

所述驱动电路的输入端与驱动信号DRV1相连,所述驱动电路的输出端与所述箝位电路的输入端相连,所述箝位电路的输出端输出所述驱动信号DRV1,所述驱动电路的接地端和所述箝位电路的接地端与公共地端相连;

所述驱动电路用于输入所述驱动信号DRV1,将所述驱动信号DRV1反向为负脉冲驱动信号DRV2,并将高电平箝位在零电平,确保输出驱动信号DRV3;

所述箝位电路用于根据所述驱动电路输出的所述驱动信号DRV3箝位住副边同步整流MOS管上的电压应力,输出所述驱动信号DRV1。

2.根据权利要求1所述的有源吸收电路,其特征在于,所述驱动电路包括驱动电容、箝位二极管、延时电阻、分压电阻以及反相箝位二极管,其中:

所述驱动电容的一端输入所述驱动信号DRV1,所述驱动电容将所述驱动信号DRV1反相为所述负脉冲驱动信号DRV2,所述驱动电容的另一端与所述箝位二极管的阳极相连,所述箝位二极管的阴极与所述公共地端相连;

所述延时电阻与所述反相箝位二极管并联,所述反相箝位二极管将所述负脉冲驱动信号DRV2及时翻转为所述驱动信号DRV3;

所述反相箝位二极管的阳极与所述箝位二极管的阳极相连,所述反相箝位二极管的阴极、所述延时电阻与所述分压电阻的公共端作为所述驱动电路的输出端与所述箝位电路相连,所述分压电阻的另一端与所述公共地端相连。

3.根据权利要求1所述的有源吸收电路,其特征在于,所述箝位电路包括箝位MOS管、箝位电容以及副边同步整流MOS管,其中:

所述箝位MOS管的G脚作为所述箝位电路的输入端与所述驱动电路的输出端相连;

所述箝位MOS管的S脚与所述公共地端相连,所述箝位MOS管的D脚与所述箝位电容的一端相连,所述箝位电容的另一端与所述副边同步整流MOS管的D脚相连;

所述副边同步整流MOS管的S脚与所述公共地端相连,所述副边同步整流MOS管的G脚作为所述箝位电路的输出端,输出所述驱动信号DRV1。

4.根据权利要求1所述的有源吸收电路,其特征在于,所述副边同步整流MOS管为NMOS开关管。

5.根据权利要求3所述的有源吸收电路,其特征在于,所述箝位MOS管为PMOS开关管。

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