[实用新型]对准标记重现清洗装置

说明书

本实用新型公开了一种对准标记重现清洗装置。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方，清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内，第一液管的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴设于清洗桶上，喷嘴与第一液管的进液口相连通，喷嘴用于向第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道设于清洗桶上，真空管道与环形空间相连通，真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。该对准标记重现清洗装置能够减少刻蚀剂和清洗剂的用量，减少对晶圆的二次污染。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一种对准标记重现清洗装置。

背景技术

随着半导体积体电路的集积度不断地提高，积体电路的设计也跟着越来越复杂，积体电路的决定尺寸也跟着越来越小。当半导体积体电路的制程进入0.1微米以下的制程时，因为积体电路是由多层线路图案重叠而成的，每层线路图案的对准对制程的品质有极大的影响。

如图1和图2所示，在晶圆10上，一般有两个对准标记100位于晶圆边缘的位置上，其总面积大小约为450平方微米左右，对准标记100是由相互垂直的多个平行沟渠101、102排列而成。沟渠101、102之间的宽度与间距大约为8微米左右，沟渠101、102之间的深度约为0.12微米左右。因此，即使对准标记100上面覆盖有好几层的薄膜，沟渠之间所造成的起伏外形仍然可以辨识的出来。

在当前的晶圆制程中，在重叠上下两层的线路图案时，通常是利用500-630nm的激光照射对准标记，利用晶圆表面反射九波所形成的光程差来辨识对准标记以完成对准。但这要求对准标记的阶梯高度必须达到一个最少值一上，如20nm以上，才能提供够清楚的对准信号，然后才进行微影蚀刻的步骤，转移光罩上的线路图案至薄膜上。然而在对准标记上的薄膜经常会或多或少地改变对准标记的起伏外形，造成对准标记的光干涉讯号中心的偏移。此外，有些材质的薄膜会吸收500-630nm的激光，使得对准标记的讯号十分不清楚。若为此而重新制造新的光罩，来去除对准标记上的薄膜，势必要花很大的制造成本与制造时间。另外，有时在制程过程中还会衍生一些其他问题。以制造浅沟渠隔离来说，在化学机械研磨过程中来去除氮化硅层上的氧化硅层：如果在化学机械研磨步骤以后才进行微影蚀刻制程，将对准标记区域上的氧化硅层蚀刻掉，对对准的影响较小；如果在化学机械研磨步骤之前就进行微影蚀刻制程，将对准标记区域上的氧化硅层蚀刻掉，则氧化硅与研浆的残渣很容易残留在对准标记的沟渠内，造成不易辨识对准标记的问题。

此外，在现有技术中，利用清洗设备或者装置使对准标记重现而进行的蚀刻、清洗的工艺过程中，通常会出现刻蚀剂、清洗剂用量过大，刻蚀剂、清洗剂、以及刻蚀残渣会造成晶圆的二次污染和成品良率降低以及操作使用不方便的问题。

综上，现有技术中的对准标记重现清洗装置具有刻蚀剂、清洗剂用量过大及易造成晶圆的二次污染的缺陷。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中的对准标记重现清洗装置具有刻蚀剂、清洗剂用量过大及易造成晶圆的二次污染的缺陷，提供一种对准标记重现清洗装置。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种对准标记重现清洗装置，用于使晶圆上的对准标记重现，其特点在于，所述对准标记重现清洗装置包括：

基板，所述基板用于放置所述晶圆；

清洗桶，所述清洗桶架设于所述晶圆的上方，所述清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间；

第一液管，所述第一液管位于所述环形空间内，所述第一液管的出液口对应于所述晶圆上的对准标记，且所述第一液管的出液口的大小与所述对准标记的大小相适配；