[实用新型]对准标记重现清洗装置有效
| 申请号: | 201820062445.6 | 申请日: | 2018-01-15 |
| 公开(公告)号: | CN207743208U | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 王溯;史筱超;李成克;耿志月;王卫卫 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;何桥云 |
| 地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 对准标记 清洗桶 液管 清洗装置 真空管道 喷嘴 晶圆 环形空间 重现 清洗剂 出液口 刻蚀剂 基板 本实用新型 二次污染 真空设备 进液口 内壁 适配 外壁 架设 | ||
1.一种对准标记重现清洗装置,用于使晶圆上的对准标记重现,其特征在于,所述对准标记重现清洗装置包括:
基板,所述基板用于放置所述晶圆;
清洗桶,所述清洗桶架设于所述晶圆的上方,所述清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间;
第一液管,所述第一液管位于所述环形空间内,所述第一液管的出液口对应于所述晶圆上的对准标记,且所述第一液管的出液口的大小与所述对准标记的大小相适配;
喷嘴,所述喷嘴设于所述清洗桶上,所述喷嘴与所述第一液管的进液口相连通,所述喷嘴用于向所述第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂;
真空管道,所述真空管道设于所述清洗桶上,所述真空管道与所述环形空间相连通,所述真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。
2.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述第一液管的出液口与所述清洗桶的底部相齐平。
3.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述第一液管的数量与所述对准标记的数量相同。
4.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述对准标记重现清洗装置还包括:
干燥管道,所述干燥管道设于所述清洗桶上,所述干燥管道与所述环形空间相连通,所述干燥管道用于向所述环形空间内通入干燥剂。
5.如权利要求4所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述干燥剂为氮气。
6.如权利要求4所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述真空管道和所述干燥管道均设于所述清洗桶的顶部。
7.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述对准标记重现清洗装置还包括:
第二液管,所述第二液管设于所述清洗桶的顶部,所述第二液管连接于所述喷嘴和所述第一液管之间,且所述喷嘴、所述第二液管和所述第一液管之间相连通。
8.如权利要求7所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述喷嘴包括:
第一喷嘴,所述第一喷嘴与所述第二液管相连通,用于向所述第二液管内通入所述刻蚀剂;
第二喷嘴,所述第二喷嘴与所述第二液管相连通,用于向所述第二液管内通入所述清洗剂。
9.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述基板上设有真空回路,所述晶圆通过真空吸附设于所述基板上。
10.如权利要求1-9中任意一项所述的对准标记重现清洗装置,其特征在于,所述第一液管和所述清洗桶的材质均为聚四氟乙烯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





