[实用新型]用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具有效
| 申请号： | 201820055008.1 | 申请日： | 2018-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN207760415U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杜国杰;薛俊明;高建军;王占英;王燕增;李建杰;代杰 | 申请（专利权）人： | 河北汉盛光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/35;H01L31/18 |
| 代理公司： | 衡水市盛博专利事务所 13119 | 代理人： | 李志华 |
| 地址： | 053000 河北省衡*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基异质结太阳电池 透明电极 镂空槽 底托 上盖 掩膜 制备 模具 匹配 本实用新型 刀口 底槽 刻蚀工艺步骤 模具技术领域 漏电问题 上盖中部 稳定因素 限位凸环 限位槽 刀槽 凸环 | ||
【权利要求书】：
1.用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：包括上盖和底托，上盖中部设置有至少一个镂空槽，镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口，上盖的边沿设置有限位凸环，底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽，底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽，底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。
2.根据权利要求1所述的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：所述的刀口突出上盖0.3-0.5mm，刀口背部为斜坡。
3.根据权利要求2所述的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：所述的刀口突出上盖0.4mm，刀口背部斜坡倒角角度为60°。
4.根据权利要求1所述的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：所述的镂空槽、底槽为四个，镂空槽、底槽为正方形或切角的正方形。
5.根据权利要求1所述的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：所述底托的限位槽上对称开有一对缺口。
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