[实用新型]用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具

说明书

本实用新型属于模具技术领域，公开了一种用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。其主要技术特征为：包括上盖和底托，上盖中部设置有至少一个镂空槽，镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口，上盖的边沿设置有限位凸环，底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽，底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽，底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，解决了漏电问题,节省了刻蚀工艺步骤，消除了工艺不稳定因素。

技术领域

本实用新型属于模具技术领域，尤其涉及一种用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。

背景技术

近年来，太阳能光伏产业发展迅猛，传统晶体硅太阳电池产能过剩，同质化竞争问题日渐突显，开发高效硅异质结太阳电池是解决这一问题的有效途径。磁控溅射设备是生产硅异质结太阳能电池的关键设备，用于制备透明导电膜。现有太阳能电池正反两面制备完透明导电膜后由于边缘也会溅射上导电膜，正电极和负电极很容易通过边缘导电膜而导通，从而会发生边缘漏电的问题，为解决此问题，需增加一道刻蚀膏印刷刻蚀掉边缘导电膜，但是带来的工艺不稳定性大大增加。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题就是提供一种能解决漏电问题,节省刻蚀工艺步骤，消除工艺不稳定因素的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：包括上盖和底托，上盖中部设置有至少一个镂空槽，镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口，上盖的边沿设置有限位凸环，底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽，底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽，底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。

其附加技术特征为：所述的刀口突出上盖0.3-0.5mm，刀口背部为斜坡；

所述的刀口突出上盖0.4mm，刀口背部斜坡倒角角度为60°；

所述的镂空槽、底槽为四个，镂空槽、底槽为正方形、矩形或切角的正方形；

所述底托的限位槽上对称开有一对缺口。

本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，制造时，选择热稳定性和可塑性良好的钛合金材料作为模具的基材。在上盖做出四个合适尺寸的镂空部分。根据设计图纸用铣床铣出上盖的结构。根据设计图纸用铣床铣出底托的结构。对上盖和底托进行抛光打磨。最后将上盖和底托进行整平处理。使用时，将硅片放于底托的刀槽处，将上盖盖在底托上压实即可。此时限位凸环与限位槽接触，刀口与刀槽接触，上盖和底托结合严丝合缝，刀口设计实现了对硅片的绝对平整压实，避免了因模具弯曲造成的虚压，达到掩膜的目的，进行镀膜效果好。本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，解决了漏电问题,节省了刻蚀工艺步骤，消除了工艺不稳定因素。模具做整平抛光处理，以达到掩膜效果。上盖做突出的刀口用于镀膜和压片用，限位凸环和限位槽做限位用，刀槽用于放置硅片和刀口。镂空槽尺寸与硅片相比略小1.5mm，刀槽尺寸与硅片相比要大0.2mm，底槽尺寸与硅片相比要小19mm。根据需要，刀口突出上盖0.3-0.5mm，刀口背部为斜坡，最好是刀口突出上盖0.4mm，刀口背部斜坡倒角角度为60°。倒角的设计避免了因模具自身遮挡造成的边沿镀膜厚度不均问题。镂空槽、底槽为四个或其它个数，镂空槽、底槽为正方形、矩形或切角的正方形。而底托的限位槽上对称开有一对缺口，用于取上盖方便。

附图说明

图1为本实用新型用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具的上盖的正面结构示意图；

图2为上盖的背面结构示意图；

图3为上盖边沿的截面图；

图4为底托的结构示意图；

图5为底托边沿的截面图。

具体实施方式