[实用新型]一种锁存器及隔离电路

权利要求书

1.一种锁存器，其特征在于，包括第一级子结构和k个第二级子结构，k为大于等于1的正整数；其中：

所述第一级子结构包括：

第一负载，其第一端耦接第一端口；

第二负载，其第一端耦接所述第一端口；

第一驱动电路，所述第一驱动电路的控制端耦接所述第一负载的第二端，所述第一驱动电路的第二端耦接第二端口；

第二驱动电路，所述第二驱动电路的控制端耦接所述第二负载的第二端，所述第二驱动电路的第二端耦接所述第二端口；

所述第二级子结构包括：第三负载、第四负载，第三驱动电路和第四驱动电路；

在第一个第二级子结构中，所述第三负载的第一端耦接所述第二负载的第二端，所述第三负载的第二端耦接所述第三驱动电路的控制端、所述第一驱动电路的第一端以及所述第四驱动电路的第一端，所述第四负载的第一端耦接所述第一负载的第二端，所述第四负载的第二端耦接所述第四驱动电路的控制端、所述第二驱动电路的第一端以及所述第三驱动电路的第一端，所述第三驱动电路的第二端和所述第四驱动电路的第二端耦接第一个参考端口；

在第i个第二级子结构中，所述第三负载的第一端耦接第i-1个第二级子结构的第四负载的第二端，所述第三负载的第二端耦接所述第三驱动电路的控制端、第i-1个第二级子结构的第三驱动电路的第一端以及所述第四驱动电路的第一端，所述第四负载的第一端耦接第i-1个第二级子结构的第三负载的第二端，所述第四负载的第二端耦接所述第四驱动电路的控制端、第i-1个第二级子结构的第四驱动电路的第一端以及所述第三驱动电路的第一端，所述第三驱动电路的第二端和所述第四驱动电路的第二端耦接第i个参考端口；

其中，i为大于1且小于等于k的正整数。

2.根据权利要求1所述的锁存器，其特征在于，所述第一负载、第二负载、第三负载和第四负载中的一个或多个为电阻。

3.根据权利要求1所述的锁存器，其特征在于，所述第一驱动电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管的控制端作为所述第一驱动电路的控制端，所述第一晶体管的第一端作为所述第一驱动电路的第一端，所述第一晶体管的第二端作为所述第一驱动电路的第二端；

所述第二驱动电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的控制端作为所述第二驱动电路的控制端，所述第二晶体管的第一端作为所述第二驱动电路的第一端，所述第二晶体管的第二端作为所述第二驱动电路的第二端。

4.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为N型MOSFET；

所述第一端口为电源端口，所述电源端口适于接入电源电压；

所述第一晶体管的栅极连接所述第一负载的第二端，所述第一晶体管的漏极连接第一个第二级子结构中第三负载的第二端，所述第一晶体管的源极连接所述第二端口；

所述第二晶体管的栅极连接所述第二负载的第二端，所述第二晶体管的漏极连接第一个第二级子结构中第四负载的第二端，所述第二晶体管的源极连接所述第二端口。

5.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为双极性晶体管；

所述第一端口为电源端口，所述电源端口适于接入电源电压；

所述第一晶体管的基极连接所述第一负载的第二端，所述第一晶体管的集电极连接第一个第二级子结构中第三负载的第二端，所述第一晶体管的发射极连接所述第二端口；

所述第二晶体管的基极连接所述第二负载的第二端，所述第二晶体管的集电极连接第一个第二级子结构中第四负载的第二端，所述第二晶体管的发射极连接所述第二端口。

6.根据权利要求4或5所述的锁存器，其特征在于，所述第二端口耦接电流源的输出端。