[实用新型]基板处理装置有效

专利信息
申请号: 201820037879.0 申请日: 2018-01-10
公开(公告)号: CN207752974U 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 林圣翔 申请(专利权)人: 弘塑科技股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 旋转台 气体通道 基板处理装置 保护气体 气体供应单元 抽气单元 负压状态 基板保持 基板承载 连接通道 吹出 基板 环绕
【说明书】:

本揭示提供一种基板处理装置,包含:一旋转台,其内部包含一第一气体通道和一第二气体通道;一抽气单元,与所述旋转台连接,用于使所述第一气体通道内保持在一负压状态,进而将所述基板保持在所述旋转台上;以及一气体供应单元,与所述旋转台连接,用于供应一保护气体,其中所述保护气体通过所述第二连接通道吹出在所述基板上并环绕所述旋转台的基板承载部。

技术领域

本揭示涉及一种基板处理装置,特别是涉及一种具有双气源管路的基板处理装置。

背景技术

在传统的单晶圆旋转清洗蚀刻装置中,为了避免喷洒在基板上的蚀刻液体流至基板背(底)面而造成真空吸盘的污染以及破坏其真空吸取的能力。目前业界是采用在单晶圆旋转清洗蚀刻装置旁另增设一个固定式的喷气装置,其是以朝向基板背面喷气的方式将流至基板背面的液体吹落。然而,此类型的喷气装置无法与旋转的基板同步旋转作动,如此难以达到全面性的保护。

然而,倘若要将上述的喷气装置整合在传统的单晶圆旋转清洗蚀刻装置中以使得喷气装置能与基板同步旋转作动则存在一定的困难。举例来说,在传统的单晶圆旋转清洗蚀刻装置中,为了以真空吸取的方式将基板保持在旋转台上,通常会在旋转台内组装气体管路,以发挥真空吸取功能。此类型的装置由于内部仅需安装一条气体管路,故只需通过将气体管路牵引至转轴中心或者是搭配特殊接头设计,即可避免旋转台旋转时造成气体管路绕曲的问题。然而,当单晶圆旋转清洗蚀刻装置中配置两条以上的气体管路时,装设在旋转台内部的两条气体管路存在随着旋转台的转动而彼此缠绕在一起的风险。

有鉴于此,有必要提出一种具有双气源管路的基板处理装置,以解决现有技术中存在的问题。

实用新型内容

为解决上述现有技术的问题,本揭示的目的在于提供一种具有双气源管路的基板处理装置,其可有效地解决现有技术中因两条气体管路会随着旋转台的转动而彼此缠绕在一起的问题。

为达成上述目的,本揭示提供一种基板处理装置,包含:一旋转台,用于保持一基板,并且可绕着一中央轴旋转,所述旋转台内部包含一第一气体通道和一第二气体通道,其中所述第一气体通道的一端位在所述旋转台的基板承载部,且另一端位在旋转台的第一位置,以及所述第二气体通道的一端位在所述旋转台的所述基板承载部,且另一端位在旋转台的第二位置;一抽气单元,与所述旋转台的所述第一位置连接,用于使所述第一气体通道内保持在一负压状态,进而将所述基板保持在所述旋转台上;以及一气体供应单元,与所述旋转台的所述第二位置连接,用于供应一保护气体,其中所述保护气体通过所述第二连接通道吹送至所述基板背面上,所述保护气体用于防止施加在所述基板上的处理流体沿所述基板的背面流至所述基板承载部。

在本揭示其中之一优选实施例当中,所述抽气单元包含:一第一轴封,环绕且包覆住所述旋转台的所述第一位置,包含一第一连接通道;一第一气室,设置在所述第一轴封与所述旋转台之间,并且和所述第一气体通道连通;以及一抽气设备,与所述第一轴封的所述第一连接通道连接,用于将所述第一连接通道、所述第一气室和所述第一气体通道内的气体抽出。

在本揭示其中之一优选实施例当中,所述气体供应单元包含:一第二轴封,环绕且包覆住所述旋转台的所述第二位置,包含一第二连接通道;一第二气室,并且和所述第二气体通道连通,设置在所述第二轴封与所述旋转台之间;以及一气体供应设备,与所述第二连接通道连接,用于在所述第二连接通道、所述第二气室和所述第二气体通道内注入所述保护气体。

在本揭示其中之一优选实施例当中,当所述旋转台旋转时,所述抽气单元与所述气体供应单元保持固定不转动。

在本揭示其中之一优选实施例当中,基板处理装置还包含一气体分流环,环绕地设置在所述基板承载部周围,用于将所述气体供应单元供应的所述保护气体分流至多个出气通道,并且所述保护气体通过所述多个出气通道送至所述基板背面上。

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