[实用新型]应用于CMOS图像传感器的返修装置有效
申请号: | 201820026432.3 | 申请日: | 2018-01-08 |
公开(公告)号: | CN207637761U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 王国建;吴剑华 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉兰 |
地址: | 214161 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 返修装置 返修 返修平台 烫伤 载具 返修效率 螺纹推杆 固定片 本实用新型 不合格产品 覆盖绝缘层 操作过程 底边距离 第二挡板 第一挡板 四周区域 滑动 杆端 应用 装载 稳固 支撑 保证 | ||
本实用新型公开了一种应用于CMOS图像传感器的返修装置,属于返修装置的结构设计领域,该应用于CMOS图像传感器的返修装置,通过在返修平台四周区域覆盖绝缘层,从而避免了工人操作过程中烫伤;通过设置第一挡板、第二挡板、第一支撑块、第一螺纹推杆,在第一螺纹推杆的杆端设置第一固定片,第一固定片的底边距离返修平台0.5mm~1mm,从而能够固定住放置在返修平台上的载具;克服了采用现有技术中返修装置对产品进行返修工作时容易烫伤工人的问题,也克服了采用现有技术中的返修装置对产品进行返修工作时载具容易滑动导致返修效率较低的问题,从而既避免了烫伤工人,又稳固了装载有不合格产品的载具,进而提高了产品的返修效率,保证了返修工作环境的安全性。
技术领域
本实用新型涉及一种返修装置,尤其涉及一种应用于CMOS图像传感器的返修装置。
背景技术
图像传感器又称为感光元件,是一种将光学图像转换成电子信号的设备,它被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中,是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同,可分为CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合元件)和CMOS(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体元件)两大类。
现有的CMOS图像传感器的封装工艺为:晶圆背磨、晶圆切割,同时PCB基板分板,将切割PCB基板后的PCB基座放置到载具中,而后将切割晶圆后的芯片装载到载具上的PCB基座上,再进行烘烤、键合、检查、清洗、点胶封盖以及烘烤工序,从而完成对CMOS图像传感器的封装。而后需要对CMOS图像传感器进行检测,检测不合格的产品需要统一的放置一待返修载具中,最后送至返修装置进行返修。
返修主要是加热载具上的产品,使得胶水融化,而后用刀片将玻璃盖板从PCB基座上拆分开来,现有技术中通常使用1000w的返修箱,将装载有不合格产品的载具放置返修箱上,然而,现有技术中的返修箱其结构较为简单,导致工人在用刀片将玻璃盖板从PCB基座上拆分开来的时候容易烫伤自己,并且,装载有不合格产品的载具在工人的操作下会滑动,导致工人操作较为困难,返修效率较低。
实用新型内容
针对上述存在的问题,本实用新型提供一种应用于CMOS图像传感器的返修装置,以克服采用现有技术中返修装置对产品进行返修工作时容易烫伤工人的问题,也克服采用现有技术中的返修装置对产品进行返修工作时载具容易滑动导致返修效率较低的问题,从而既避免了烫伤工人,又稳固了装载有不合格产品的载具,进而提高了产品的返修效率,保证了返修工作环境的安全性。
为了实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种应用于CMOS图像传感器的返修装置,其中,包括:具有返修平台的返修本体,所述返修平台的中间区域为返修加热区,所述返修平台的四周区域上覆盖有绝缘层;
所述返修加热区上设置有第一挡板和第二挡板,所述第一挡板所在的平面与所述返修平台所在的平面垂直,所述第二挡板所在的平面与所述返修平台所在的平面亦垂直,所述第一挡板所在的平面与所述第二挡板所在的平面垂直;
所述返修平台的一个边上固定有第一支撑块,所述第一支撑块与所述第一挡板相对,所述第一支撑块与所述第二挡板相邻,所述第一支撑块中开设有第一螺纹孔,第一螺纹推杆通过所述第一螺纹孔贯穿所述第一支撑块,所述第一螺纹推杆位于所述返修加热区的杆端固定有第一固定片,所述第一固定片的底边距离所述返修平台0.5mm~1mm。
上述的应用于CMOS图像传感器的返修装置,其中,所述返修平台的另一个边上固定有第二支撑块,所述第二支撑块与所述第二挡板相对,所述第二支撑块与所述第一支撑块相邻,所述第二支撑块中开设有第二螺纹孔,第二螺纹推杆通过所述第二螺纹孔贯穿所述第二支撑块,所述第二螺纹推杆位于所述返修加热区的杆端固定有第二固定片,所述第二固定片的底边距离所述返修平台0.5mm~1mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造