[实用新型]新型多晶硅铸锭炉用复合石墨底板有效

专利信息
申请号: 201820025241.5 申请日: 2018-01-08
公开(公告)号: CN207738890U 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 刘立中;巢芳家;熊涛涛;李子龙 申请(专利权)人: 内蒙古上航新能源有限公司
主分类号: C30B28/04 分类号: C30B28/04;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 014100 内蒙古自治*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 导热板 石墨底板 散热通孔 石英坩埚 限位凹槽 多晶硅铸锭炉 导热 底板 本实用新型 复合石墨 均布 晶体生长过程 晶锭头部 晶体尾部 晶体转换 热交换区 少子寿命 铸锭过程 热应力 铸锭炉 传递 顶面 少子 位错
【说明书】:

实用新型公开了一种新型多晶硅铸锭炉用复合石墨底板,其包括石墨底板,石墨底板顶面设有限位凹槽,限位凹槽内设有导热板,导热板下方的石墨底板上均布有散热通孔。本实用新型的优点在于,通过在石墨底板顶面的限位凹槽内设置导热板,加快了与导热板直接接触的石英坩埚底部的导热速率,降低了晶体生长过程中的热应力,降低了晶锭头部位错值,延长少子寿命,使晶体尾部低少子长度降低2‑3mm,晶体转换效率提高0.05%‑0.1%;限位凹槽可以确保导热板在铸锭过程中始终位于石英坩埚底部,避免导热板位置发生变化;导热板下方的石墨底板上均布有散热通孔,传递至导热板上的热量可通过散热通孔快速传递至铸锭炉下方热交换区,进一步加快了石英坩埚底部的导热速率。

技术领域:

本实用新型涉及一种铸锭炉,特别涉及一种新型多晶硅铸锭炉用复合石墨底板。

背景技术:

随着太阳能电池的普通应该,多晶硅、单晶硅等太阳能电池基体材料领域也随之迅速发展,单晶硅太阳能电池虽然转化效率高,但生产成本高;多晶硅太阳能电池的转化效率比单晶硅太阳能电池低1%-2%,但由于其生产成本低,因此目前太阳能电池市场仍以多晶硅太阳能电池为主。

目前,铸造多晶硅的工艺主要有半熔和全熔两种,但无论哪种工艺,均需使用石英坩埚做为承载硅料熔化及晶体生长的载体,晶体在生长过程中所产生的结晶潜热主要通过坩埚下部的冷凝块散热,但由于石英坩埚因其材料本身导热能力差,导致石英坩埚内晶体中上部热应力过大,位错增值,少子寿命低,进而影响铸造多晶硅片的转换效率。

实用新型内容:

本实用新型的目的在于提供一种提高转化效率、降低位错值、延长少子寿命的新型多晶硅铸锭炉用复合石墨底板。

本实用新型由如下技术方案实施:新型多晶硅铸锭炉用复合石墨底板,其包括石墨底板,所述石墨底板顶面设有限位凹槽,所述限位凹槽内设有导热板,所述导热板下方的所述石墨底板上均布有散热通孔。

进一步的,所述导热板的长度为900~1110mm、宽度为900~1110mm、厚度为5~10mm。

进一步的,所述导热板为碳纤维薄板或碳化硅薄板中的任意一种。

本实用新型的优点:1、通过在石墨底板顶面的限位凹槽内设置导热板,加快了与导热板直接接触的石英坩埚底部的导热速率,从而使晶体生长过程中所产生的结晶潜热快速从晶锭中上部传递下来,并进入铸锭炉下部的热交换区,降低了晶体生长过程中的热应力,降低了晶锭头部位错值,延长少子寿命,使晶体尾部低少子长度降低2-3mm,晶体转换效率提高0.05%-0.1%;2、限位凹槽可以确保导热板在铸锭过程中始终位于石英坩埚底部,避免导热板位置发生变化;3、导热板下方的石墨底板上均布有散热通孔,传递至导热板上的热量可通过散热通孔快速传递至铸锭炉下方热交换区,进一步加快了石英坩埚底部的导热速率。

附图说明:

图1为整体结构示意图。

石墨底板1,限位凹槽2,导热板3,散热通孔4。

具体实施方式:

实施例1:

如图1所示,新型多晶硅铸锭炉用复合石墨底板,其包括石墨底板1,石墨底板1顶面设有限位凹槽2,限位凹槽2内设有导热板3,限位凹槽2可以确保导热板3在铸锭过程中始终位于石英坩埚底部,避免导热板3位置发生变化;导热板3的长度为900mm、宽度为900mm、厚度为5mm,导热板3为碳纤维薄板,导热板3下方的石墨底板1上均布有散热通孔4,传递至导热板3上的热量可通过散热通孔4快速传递至铸锭炉下方热交换区,进一步加快了石英坩埚底部的导热速率。

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