[发明专利]晶圆塑封方法、晶圆级封装结构及其封装方法、塑封模具

说明书

本发明提供一种晶圆塑封方法、晶圆级封装结构及其封装方法、塑封模具，将载有塑封材料的晶圆置于塑封模具的第一模板上，通过所述塑封模具的第二模板对所述塑封材料施加压力，以在所述晶圆背离所述第一模板的表面形成塑封层，其中，所述塑封模具的第二模板面向所述晶圆的表面上形成有一凸起，所述第二模板对所述塑封材料施加压力时所述凸起位于所述缺口的上方并用以阻止所述塑封材料从所述缺口溢出，进而可以实现更大面积的塑封，改善塑封偏心问题，并且使后续切边工艺中切割的面积减小，有利于提高晶圆上有效芯片的利用率。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种晶圆塑封方法、晶圆级封装结构及其封装方法、塑封模具。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括系统级封装(System inPackage，SIP)、片上系统(System on chip，SOC)封装、晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)等。SIP是将多个具有不同功能的有源元件、无源元件以及光学元件等元件组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，其允许异质IC集成，是常用的一种封装集成方式。相比于SOC，SIP的工艺相对简单，设计周期和面市周期更短，成本较低，可以实现更复杂的系统。与传统的SIP相比，WLP是在晶圆上完成封装制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。

但是，目前的晶圆级封装方法的芯片利用率有待进一步提高。

发明内容

本发明提供一种晶圆塑封方法、晶圆级封装结构及封装方法、塑封模具，有利于提高晶圆上有效芯片的利用率。

本发明提供一种晶圆塑封方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆边缘具有一缺口；

在所述晶圆上添加塑封材料；

将所述晶圆置于一塑封模具的第一模板上，通过所述塑封模具的第二模板对所述塑封材料施加压力，以在所述晶圆背离所述第一模板的表面形成塑封层；

其中，所述塑封模具的第二模板面向所述晶圆的表面上形成有一凸起，所述第二模板对所述塑封材料施加压力时所述凸起位于所述缺口的上方并用以阻止所述塑封材料从所述缺口溢出。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，所述凸起由弹性材料制成，所述凸起的原始高度大于所述塑封层的厚度，所述第二模板对所述塑封材料施加压力时所述凸起抵靠所述晶圆的缺口处。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，所述缺口呈V型，所述凸起为具有V型内凹的柱体或三棱柱结构。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，所述凸起与所述晶圆接触的一面的面积大于所述缺口的面积。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，所述塑封层为环氧树脂层。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，在所述晶圆背离所述第一模板的表面上添加塑封材料之后，加热所述塑封材料。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，所述塑封材料的加热温度为160℃-180℃。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，所述第二模板面向所述晶圆的一面上贴设有释放膜。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，所述晶圆通过一芯片连接膜黏接在一载体上。

可选的，在所述的晶圆塑封方法中，在所述晶圆背离所述第一模板的表面上形成塑封层后，实施脱模，并将塑封后的所述晶圆进行烘烤。

本发明还提供一种晶圆级芯片封装方法，包括上述任意一项提到的的晶圆塑封方法。