[发明专利]晶圆塑封方法、晶圆级封装结构及其封装方法、塑封模具有效
申请号: | 201811654671.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN111383929B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 石虎;李海江;敖萨仁;李洪昌;孙尧中 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑封 方法 晶圆级 封装 结构 及其 模具 | ||
1.一种晶圆塑封方法,其特征在于,包括:
提供一晶圆,所述晶圆边缘具有一缺口;
在所述晶圆上添加塑封材料;以及,
将所述晶圆置于一塑封模具的第一模板上,通过所述塑封模具的第二模板对所述塑封材料施加压力,以在所述晶圆背离所述第一模板的表面形成塑封层;其中,所述第二模板面向所述晶圆的表面上形成有一凸起,所述第二模板对所述塑封材料施加压力时所述凸起用以阻止所述塑封材料从所述缺口溢出,其中,所述凸起由弹性材料制成,所述凸起的原始高度大于所述塑封层的厚度。
2.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,所述第二模板对所述塑封材料施加压力时所述凸起抵靠所述晶圆的缺口处。
3.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,所述缺口呈V型,所述凸起为具有V型内凹的柱体或三棱柱结构。
4.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,所述凸起与所述晶圆接触的一面的面积大于所述缺口的面积。
5.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,所述塑封层为环氧树脂层。
6.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,在所述晶圆背离所述第一模板的表面上添加塑封材料之后,加热所述塑封材料。
7.根据权利要求6所述的晶圆塑封方法,其特征在于,所述塑封材料的加热温度为160℃-180℃。
8.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,所述第二模板面向所述晶圆的一面上贴设有释放膜。
9.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,所述晶圆通过一芯片连接膜黏接在一载体上。
10.根据权利要求1所述的晶圆塑封方法,其特征在于,在所述晶圆背离所述第一模板的表面上形成塑封层后,实施脱模,并将塑封后的所述晶圆进行烘烤。
11.一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,包括如权利要求1至10中任一项所述的晶圆塑封方法。
12.根据权利要求11所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述晶圆进行烘烤之后,还包括,
对所述晶圆进行切边工艺,去除位于所述晶圆边缘的塑封层;以及
减薄或去除承载所述晶圆的载体。
13.一种塑封模具,用于对晶圆进行塑封,其特征在于,包括第二模板、第一模板以及注塑单元,所述第一模板用以承载所述晶圆,所述注塑单元用以向所述晶圆背离所述第一模板的表面上添加塑封材料,所述第二模板用以对所述塑封材料施加压力,所述塑封模具的第二模板面向所述晶圆的表面上形成有一凸起,所述第二模板对所述塑封材料施加压力时所述凸起位于所述晶圆边缘的缺口的上方并用以阻止所述塑封材料从所述缺口溢出,其中,所述凸起由弹性材料制成,所述凸起的原始高度大于后续所述塑封材料在所述晶圆上形成的塑封层的厚度。
14.根据权利要求13所述的塑封模具,其特征在于,所述凸起与所述塑封模具的第二模板通过胶体黏接。
15.根据权利要求13所述的塑封模具,其特征在于,所述凸起与所述晶圆接触的一面的面积大于所述缺口的面积。
16.根据权利要求13所述塑封模具,其特征在于,所述凸起为曲面体或者多面体。
17.根据权利要求13所述的塑封模具,其特征在于,所述凸起包括:凸起主体和缓冲垫,所述凸起主体与所述第二模板连接,所述缓冲垫位于所述凸起主体面向所述晶圆的一面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造