[发明专利]MEMS麦克风制造方法在审

专利信息
申请号: 201811651276.0 申请日: 2018-12-31
公开(公告)号: CN110012410A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 孟珍奎;刘政谚 申请(专利权)人: 瑞声科技(新加坡)有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00
代理公司: 广东广和律师事务所 44298 代理人: 陈巍巍
地址: 新加坡卡文迪*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 振膜结构 背板结构 制备 基底 第一表面 侧面 第二表面 电极 背腔 刻蚀 制造
【说明书】:

发明提出一种MEMS麦克风的制备方法,包括如下步骤:选择基底,在所述基底的第一表面上制备第一振膜结构;在所述第一振膜结构的与所述基底的第一表面相对的侧面间隔制备背板结构,所述第一振膜结构与所述背板结构之间具有第一间隙;在所述背板结构的与所述第一振膜结构相对的侧面间隔制备第二振膜结构,所述第二振膜结构与所述背板结构之间具有第二间隙;在所述第二振膜结构的与所述背板结构相对的侧面制备电极;刻蚀所述基底的与所述第一表面相对的第二表面,形成背腔。

【技术领域】

本发明涉及麦克风技术,特别地,涉及一种微机电系统(Micro-Electro-MechanicSystem,MEMS)麦克风的制造方法。

【背景技术】

随着无线通讯的发展,用户对移动电话的通话质量要求越来越高,麦克风作为移动电话的语音拾取装置,其设计的好坏直接影响移动电话的通话质量。

由于MEMS技术具有小型化、易集成、高性能、低成本等特点,使其获得业界青睐,MEMS麦克风在当前的移动电话中应用较为广泛;常见的MEMS麦克风为电容式,即包括振膜和背板,二者构成MEMS声传感电容,且MEMS声传感电容进一步通过连接盘连接到处理芯片以将声传感信号输出给处理芯片进行信号处理。为了进一步提高MEMS麦克风的性能,现有技术提出了双振膜MEMS麦克风结构,即利用两层振膜分别与背板构成电容结构。基于硅技术的MEMS麦克风中,上述MEMS麦克风的振膜和背板是在同一个硅基座并利用半导体制作工艺制作而成,且在制作过程中还包括形成声腔、背腔、声学孔、透气孔和连接盘等工艺步骤。

由于MEMS麦克风的每一个制作工艺步骤是在同一个硅基座制作形成,因此必须在前一个工艺步骤完成之后方可进行下一个工艺步骤,此将导致MEMS麦克风的整体制造效率较低。

基于这些问题,有必要提供一种新的MEMS麦克风双振膜结构的制造方法,以提高制造效率。

【发明内容】

为解决上述技术问题,本发明提供一种可以提高MEMS麦克风整体制造效率的MEMS麦克风的制造方法。

具体地,本发明提出的方案如下:

一种MEMS麦克风的制备方法,包括如下步骤:

选择基底,在所述基底的第一表面上沉积第一氧化层;

在所述第一氧化层的表面沉积第一多晶硅层并图形化该第一多晶硅层以形成第一振膜结构;

在所述第一振膜结构的表面沉积第二氧化层,

在所述第二氧化层的表面沉积背板材质层,

图形化所述背板材质层形成背板结构,所述背板结构包括若干声学通孔;

在所述背板结构上沉积第三氧化层,并平坦化所述第三氧化层;

图形化所述第三氧化层、第二氧化层,形成介于所述声学通孔之间的支撑件沉积孔,所述支撑件沉积孔露出所述第一振膜结构;

沉积支撑件材质层,直至填满所述支撑件沉积孔;

平坦化所述支撑件材质层,直至露出所述第三氧化层表面;

沉积第二振膜材质层,并图形化所述第二振膜材质层形成第二振膜结构,其中包括形成在第二振膜结构对应于所述背板结构边缘区域的释放孔;

制备所述第一振膜结构、第二振膜结构、背板结构的引出电极;

背面刻蚀所述基底,形成对应于所述背板结构中间主体区域的背腔结构;

经所述释放孔去除所述第一振膜结构、第二振膜结构之间对应于所述背板结构中间主体区域的第二氧化层、第三氧化层,经背腔结构去除背腔结构上方的第一氧化层。

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