[发明专利]MEMS麦克风制造方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

选择基底，在所述基底的第一表面上沉积第一氧化层；

在所述第一氧化层的表面沉积第一多晶硅层并图形化该第一多晶硅层以形成第一振膜结构；

在所述第一振膜结构的表面沉积第二氧化层，

在所述第二氧化层的表面沉积背板材质层，

图形化所述背板材质层形成背板结构，所述背板结构包括若干声学通孔；

在所述背板结构上沉积第三氧化层，并平坦化所述第三氧化层；

图形化所述第三氧化层、第二氧化层，形成介于所述声学通孔之间的支撑件沉积孔，所述支撑件沉积孔露出所述第一振膜结构；

沉积支撑件材质层，直至填满所述支撑件沉积孔；

平坦化所述支撑件材质层，直至露出所述第三氧化层表面；

沉积第二振膜材质层，并图形化所述第二振膜材质层形成第二振膜结构，其中包括形成在第二振膜结构对应于所述背板结构边缘区域的释放孔；

制备所述第一振膜结构、第二振膜结构、背板结构的引出电极；

背面刻蚀所述基底，形成对应于所述背板结构中间主体区域的背腔结构；

经所述释放孔去除所述第一振膜结构、第二振膜结构之间对应于所述背板结构中间主体区域的第二氧化层、第三氧化层，经背腔结构去除背腔结构上方的第一氧化层。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述沉积背板材质层包括依次沉积第一氮化硅层、第二多晶硅层、第二氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述制备所述第一振膜结构、第二振膜结构、背板结构的引出电极包括：

刻蚀形成第一振膜结构、背板结构、第二振膜结构的电极引出孔；

沉积并图形化电极层，形成第一振膜结构的第一引出电极、第二振膜结构的第二引出电极、背板结构的第三引出电极。

4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述沉积支撑件材质层为在图形化的第三氧化层上沉积第三氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述形成背腔结构，包括：

从所述基底的第二表面减薄并刻蚀所述基底。

6.根据权利要求3所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，还包括在形成电极引出孔之后沉积钝化保护层的步骤。

7.根据权利要求6所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述电极层包括Cr/Au层。

8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，还包括形成至少一个贯通所述支撑件、所述第一振膜结构、第二振膜结构的通孔。

9.根据权利要求1所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，还包括在所述背板结构的中间主体区域上下表面形成凸起的步骤。