[发明专利]一种DRAM的修复方法有效
| 申请号: | 201811647353.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN109741782B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 席龙宇;王帆;韩彦武 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
| 地址: | 710003 陕西省西安市高新区软件*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 dram 修复 方法 | ||
1.一种DRAM的修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将DRAM芯片测试项分类,分为灵敏放大器缺陷测试项和DRAM的其它测试项;
2)对灵敏放大器缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储;
3)对灵敏放大器缺陷测试项的失效地址分析并进行修复;
4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的灵敏放大器缺陷测试项产生的失效地址进行合并;
5)对合并后的失效地址进行读取;
6)对读取的失效地址进行修复;采用DRAM失效软件对DRAM进行修复分析;
7)最后产生DRAM修复方案;
所述步骤3)中,将灵敏放大器缺陷测试项捕捉到的失效地址分为两类,一类为单点失效及字线方向的失效,该类失效不作处理;另一类为位线方向的失效,该类失效需要进一步处理,将失效位线按照灵敏放大器的工作原理扩充为三组失效地址,扩充之后,再强制采用冗余列选择线修复。
2.根据权利要求1所述的一种DRAM的修复方法,其特征在于,步骤1)中,根据灵敏放大器的特征参数及工作原理,甄选能够捕捉灵敏放大器缺陷的测试项。
3.根据权利要求1所述的一种DRAM的修复方法,其特征在于,步骤3)中,如果灵敏放大器控制位线和反向位线的动作分析灵敏放大器缺陷导致的失效地址是位线方向的,位线方向上的失效地址会被提出,并将位线方向上的失效地址扩充为沿着位线方向上的横跨三组灵敏放大器的位线失效地址,并强制用冗余列选择线修复。
4.根据权利要求1所述的一种DRAM的修复方法,其特征在于,步骤5)中,采用DRAM修复软件对失效地址进行读取。
5.根据权利要求1所述的一种DRAM的修复方法,其特征在于,所述的灵敏放大器缺陷测试项包括灵敏放大器漏电测试项、修改灵敏放大器的工作电压测试项、修改存储单元的电压测试项、改变灵敏放大器的特征参数测试项和改变灵敏放大器相关单元的工作状态测试项。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811647353.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





