[发明专利]一种TFT阵列基板

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板，包括显示器件板和设置在所述显示器件板上的半导体层；其中，所述半导体层的厚度小于或等于35纳米。有益效果：在省遮光层，从而降低TFT阵列基板的生产周期和成本的基础上，通过降低半导体层的厚度以及有源岛的宽度，同时减小离子轻掺杂区的宽度来减少光生载流子，从而降低背光光生漏电流，从而减小显示面板的能耗。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，成为显示装置中的主流。特别是LTPS(低温多晶硅)显示技术，由于其较高载流子迁移率可以使薄膜晶体管获得更高的开关电流比，提高面板开口率，改善面板亮点和高分辨率，降低面板功耗的效果，从而获得更好的视觉体验。

由于液晶显示器是一种靠电场来调节液晶分子的排列状态，从而实现光通量调制的被动型显示器件，需要精细的有源驱动矩阵(Array)配合各像素区液晶的偏转状况。鉴于低温多晶硅有源矩阵朝着不断缩小特征尺寸方向发展，为了降低低温多晶硅array基板的生产成本和周期，行业内有进行省LS(遮光层)mask工艺技术开发。

然而，省LS mask工艺后，会导致薄膜晶体管(TFT)中光生载流子增加，从而导致Ioff(光生漏电流)增加，从而导致面板功耗增加。

发明内容

本发明提供一种TFT阵列基板，以解决省遮光层工艺后，导致光生载流子增加，从而导致面板功耗增加的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

一种TFT阵列基板，包括显示器件板和设置在所述显示器件板上的半导体层；

其中，所述半导体层的厚度小于或等于35纳米。

进一步的，所述半导体层包括有源岛和与所述有源岛连接且垂直于所述有源岛的半导体走线，所述有源岛的宽度小于或等于1.8微米。

进一步的，所述半导体走线包括离子轻掺杂区和沟道连接区，所述离子轻掺杂区的宽度小于所述有源岛的宽度。

进一步的，所述沟道连接区的宽度与所述有源岛的宽度相同。

进一步的，所述沟道连接区的宽度小于所述有源岛的宽度。

进一步的，所述离子轻掺杂区的宽度与所述沟道连接区的宽度相同。

进一步的，所述离子轻掺杂区的宽度小于所述沟道连接区的宽度。

进一步的，所述显示器件板包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的缓冲层；

设置在所述缓冲层上的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层上的栅极金属层；

设置在所述绝缘层上且覆盖所述栅极金属层的层间介质层；

设置在所述层间介质层上的源漏金属层；

其中，所述半导体层设置在所述缓冲层且被所述栅极绝缘层覆盖；所述半导体走线还包括搭接区，所述源漏金属层与所述搭接区接触连接。

进一步的，所述搭接区的宽度大于所述有源岛的宽度。

进一步的，所述栅极金属层的宽度大于所述沟道连接区的长度。

本发明的有益效果为：在省遮光层，从而降低TFT阵列基板的生产周期和成本的基础上，通过降低半导体层的厚度以及有源岛的宽度，同时减小离子轻掺杂区的宽度来减少光生载流子，从而降低背光光生漏电流，从而减小显示面板的能耗。