[发明专利]一种TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201811647150.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109742088B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张鑫;李立胜;何鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 | ||
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括显示器件板和设置在所述显示器件板上的半导体层；
其中，所述半导体层的厚度小于或等于35纳米；所述半导体层包括有源岛和与所述有源岛连接的半导体走线，所述半导体走线包括离子轻掺杂区和沟道连接区，所述离子轻掺杂区的宽度小于所述有源岛的宽度。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体走线垂直于所述有源岛，所述有源岛的宽度小于或等于1.8微米。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述沟道连接区的宽度与所述有源岛的宽度相同。
4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述沟道连接区的宽度小于所述有源岛的宽度。
5.根据权利要求4的TFT阵列基板，其特征在于，所述离子轻掺杂区的宽度与所述沟道连接区的宽度相同。
6.根据权利要求4的TFT阵列基板，其特征在于，所述离子轻掺杂区的宽度小于所述沟道连接区的宽度。
7.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述显示器件板包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的缓冲层；
设置在所述缓冲层上的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上的栅极金属层；
设置在所述绝缘层上且覆盖所述栅极金属层的层间介质层；
设置在所述层间介质层上的源漏金属层；
其中，所述半导体层设置在所述缓冲层且被所述栅极绝缘层覆盖；所述半导体走线还包括搭接区，所述源漏金属层与所述搭接区接触连接。
8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述搭接区的宽度大于所述有源岛的宽度。
9.根据权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极金属层的宽度大于所述沟道连接区的长度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
