[发明专利]有机薄膜的成膜方法及其应用在审
| 申请号： | 201811645195.X | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384310A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 史文;陈亚文 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;B41J11/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 曾银凤 |
| 地址： | 510000 广东省广州中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜 方法 及其 应用 | ||
1.一种有机薄膜的成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
将成膜所用墨水打印至成膜槽内形成墨水层；
对所述墨水层进行第一次干燥，至成膜槽内的墨水层所在的液面与成膜槽的边缘齐平；
对经过第一次干燥的墨水层进行第二次干燥，得到有机薄膜；其中，所述第一次干燥对应的真空度与所述第二次干燥对应的真空度不一致。
2.根据权利要求1所述有机薄膜的成膜方法，其特征在于，对经过第一次干燥的墨水层进行第二次干燥，得到有机薄膜的步骤具体包括：
在预设温度下等待预设时间，使所述成膜槽内的墨水层进行凝固；
对经过凝固的墨水层进行第二次干燥，得到有机薄膜。
3.根据权利要求2所述有机薄膜的成膜方法，其特征在于，所述预设温度为-50℃～-5℃，所述预设时间为100s～500s。
4.根据权利要求1-3任一项所述有机薄膜的成膜方法，其特征在于，所述第一次干燥的真空度为20torr～100torr，干燥时间为100s～400s。
5.根据权利要求4所述有机薄膜的成膜方法，其特征在于，采用一维真空干燥工艺进行所述第一次干燥。
6.根据权利要求5所述有机薄膜的成膜方法，其特征在于，用于进行所述一维真空干燥工艺的一维真空干燥仪器中，冷凝板的温度为5℃～15℃，载体的温度为20℃～30℃，所述载体和所述冷凝板之间的距离为1.5mm-50mm。
7.根据权利要求1-3任一项所述有机薄膜的成膜方法，其特征在于，所述第二次干燥的真空度为10-8torr～10-4torr，干燥时间大于10s。
8.一种有机薄膜层，其特征在于，所述有机薄膜层根据权利要求1至7任意一项所述的成膜方法制备所得。
9.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求8所述的有机薄膜层。
10.根据权利要求9所述的电子器件，其特征在于，所述有机薄膜层为功能层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
