[发明专利]红外探测器及红外成像仪在审
| 申请号: | 201811644183.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN111380614A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | 王营城;黄忠政;金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00;G01J5/10;G01J5/34;G01J5/12;G01J5/18;G01J5/20;G01J5/26 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红外探测器 红外 成像 | ||
1.一种红外探测器,其包括:
一红外光谱吸收体,用于吸收红外光谱并将红外光谱转化为热量;
一热电元件,所述红外光谱吸收体设置在所述热电元件上且与所述热电元件接触设置;
一电信号检测器,与所述热电元件电连接并串联形成一回路,用于检测所述热电元件的电学性能的变化;
其特征在于,所述红外光谱吸收体包括一碳纳米管阵列,所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管,该多个碳纳米管的高度基本相同,且垂直于所述热电元件的表面。
2.如权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述红外光谱吸收体吸收红外光谱转化的热量通过碳纳米管阵列直接传递至所述热电元件。
3.如权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述热电元件为热释电元件、热敏电阻或热电偶中的一种。
4.如权利要求3所述的红外探测器,其特征在于,所述热电元件为热释电元件,所述电信号检测器为电流-电压变化器。
5.如权利要求3所述的红外探测器,其特征在于,所述热电元件为热敏电阻时,所述电信号检测器包括一电源和一电流检测器,该电信号检测器用于检测热电元件的电阻变化。
6.如权利要求3所述的红外探测器,其特征在于,所述热电元件为热电偶时,所述电信号检测器为一电压检测器,该电压检测器用于检测所述热电元件的电势变化。
7.如权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述碳纳米管阵列的高度为100微米-300微米。
8.如权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述多个碳纳米管为多壁碳纳米管,所述多个碳纳米管为金属性碳纳米管。
9.如权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述碳纳米管阵列为通过激光双向扫描法或干法刻蚀法得到的碳纳米管阵列。
10.一种红外成像仪,其包括:
一种红外接收器,用于接收红外辐射光谱并将该红外辐射光谱传递至一红外探测器组件;
所述红外探测器组件,用于将红外辐射光谱转化为电学信号,并将电学信号传递至一信号处理器;
所述信号处理器,用于对电学信号进行处理计算得到热场分布数据;
一红外像显示器,用于根据热场分布数据显示红外热像图;
其特征在于,所述红外探测器组件包括多个红外探测器呈二维阵列式均匀分布,每个红外探测器为权利要求1-9中任意一项所述的红外探测器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811644183.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





