[发明专利]多层MOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种多层MOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供n层MOS器件，n为大于0的自然数，在所述n层MOS器件上形成半导体层(210)，并在所述半导体层(210)上依次形成栅氧层和假栅(220)，至少部分所述栅氧层位于所述假栅(220)与所述半导体层(210)之间；

S2，在对应所述假栅(220)两侧的所述半导体层(210)中形成金属硅化物层，将所述金属硅化物层作为金属化源漏区(250)或对所述金属硅化物层进行掺杂形成金属化源漏区(250)，得到第n+1层MOS器件；

S3，将第n层MOS器件与所述第n+1层MOS器件金属互连，

所述步骤S2中，在小于600℃的条件下形成所述金属硅化物层，

所述步骤S2包括以下步骤：

S21，在位于所述假栅(220)两侧的所述半导体层(210)上沉积金属材料；

S22，对所述金属材料进行热处理，以使位于所述假栅(220)两侧的部分所述半导体层(210)与所述金属材料反应，去除未反应的所述金属材料，以得到所述金属硅化物层，并将所述金属硅化物层作为金属化源漏区(250)，

所述金属材料选自Co或Pt。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，在小于550℃的条件下形成所述半导体层(210)。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用沉积工艺或键合工艺将所述半导体层(210)形成于所述n层MOS器件中的顶层MOS器件上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层(210)为单晶硅、单晶锗、单晶锗硅、多晶硅和多晶锗和多晶锗硅中的任一种形成的单层或多层形成的叠层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述假栅(220)的步骤之后，所述步骤S1还包括以下步骤：

在所述假栅(220)两侧的所述半导体层(210)中形成源漏延伸区(230)；

形成位于所述假栅(220)两侧的侧墙(240)，所述侧墙(240)覆盖至少部分所述源漏延伸区(230)。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：

S21，在位于所述假栅(220)两侧的所述半导体层(210)上沉积金属材料；

S22，对所述金属材料进行热处理，以使位于所述假栅(220)两侧的部分所述半导体层(210)与所述金属材料反应，去除未反应的所述金属材料，以得到所述金属硅化物层；

S23，采用离子注入工艺对所述金属硅化物层进行掺杂，以得到所述金属化源漏区(250)。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层(210)具有顺次连接的第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域，所述假栅(220)位于所述第二半导体区域上，所述第一半导体区域和所述第三半导体区域位于所述第二半导体区域两侧，

所述步骤S21中，在所述第一半导体区域和所述第三半导体区域上沉积所述金属材料；

所述步骤S22中，对所述金属材料进行热处理，以使所述第一半导体区域中的部分或全部与所述金属材料反应，并使所述第三半导体区域中的部分或全部与所述金属材料反应，去除未反应的所述金属材料，以得到部分金属化源漏区或全金属化源漏区。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，所述制备方法还包括以下步骤：

去除所述假栅(220)，并在所述栅氧层上形成栅堆叠结构(260)，以得到第n+1层MOS器件，所述金属化源漏区(250)位于所述栅堆叠结构(260)两侧。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3之后，所述制备方法还包括：

重复执行所述步骤S1至步骤S3，以得到所述多层MOS器件。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多层MOS器件中的至少一层MOS器件为CMOS器件。