[发明专利]电致发光器件和显示装置在审
申请号: | 201811643325.6 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111384276A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 李哲;宋晶尧;付东 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 显示装置 | ||
本发明涉及一种电致发光器件和显示装置。其中,电致发光器件包括层叠设置的阳极、发光单元和阴极,所述发光单元包括电子注入层,所述电子注入层和阴极接触,所述电子注入层包括金属氟化物和低功函数金属,所述金属氟化物选自碱金属氟化物和碱土金属氟化物中的至少一种,所述低功函数金属选自功函数低于4eV的金属元素中的至少一种;所述阴极为透明导电氧化物层。该结构可以实现良好的电子注入,提高器件的亮度;同时在进行阴极的溅射工艺时,可以避免或减少高能粒子对下层有机材料的破坏。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种电致发光器件和显示装置。
背景技术
由于有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum dot light emitting diodes,QLED)具有高对比度、宽色域、快速响应速度等优势,OLED/QLED电视正越来越多地占有高端电视的市场份额。传统的采用底发射器件结构的电视,受限于面板的开口率不高,要继续沿用底发射器件结构来制造更高分辨率的4K或者8K电视将受到很大挑战。因此,目前OLED/QLED器件结构的发展趋势均朝着可获得更高开口率的顶发射器件结构发展。
目前,用于手机等小尺寸OLED/QLED显示屏的顶发射器件结构,通常采用具有较高反射率的镁银合金作为半透明阴极,然而这种阴极会产生较强的微腔效应,导致显示器件的可视角较小。相对于小尺寸的显示屏,中大尺寸的显示屏有着更高的视角性能要求,例如,OLED/QLED电视的可视角需要达到45°以上甚至60°,因此,需要开发新的技术方案来满足大尺寸OLED/QLED显示屏对可视角的需求。
发明内容
基于此,有必要提供一种能够提高器件的发光性能的的电致发光器件。
一种电致发光器件,包括层叠设置的阳极、发光层和阴极,所述发光层包括电子注入层,所述电子注入层和所述阴极接触,所述电子注入层包括金属氟化物和低功函数金属,所述金属氟化物选自碱金属氟化物和碱土金属氟化物中的至少一种,所述低功函数金属选自功函数低于4eV的金属元素中的至少一种;所述阴极为透明导电氧化物层。
上述电致发光器件,以碱金属氟化物或碱土金属氟化物与具有低功函数的金属(功函数低于4eV)共同作为电子注入层材料,以透明导电氧化物层为阴极,由于低功函数金属可以还原碱金属氟化物或碱土金属氟化物中的金属元素形成部分碱金属或碱土金属单质,同时形成部分低功函数金属的氟化物,可以维持碱金属或碱土金属的电子注入效果;而且,碱金属氟化物或碱土金属氟化物与相应金属元素的氯化物和溴化物相比,氟化物的离子键更强,更不容易释放出游离的卤素阴离子,避免这些游离的卤素阴离子向阳极方向扩散,从而有利于延长器件寿命。
在其中一个实施例中,所述金属氟化物选自氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氟化镁(MgF2)和氟化钙(CaF2)中的至少一种;所述低功函数金属选自功函数低于3eV且原子序数大于20的金属元素中的至少一种。
以碱金属氟化物或碱土金属氟化物与有高原子序数(大于20)的低功函数金属(功函数低于3eV)共同作为电子注入层材料,以透明导电氧化物层为阴极,不但可以降低电子注入势垒,提高电子注入,还由于大原子序数的低功函数金属具有较大的原子质量,从而可以避免溅射工艺的高能粒子对于器件的损伤。
进一步地,所述低功函数金属选自镱(Yb)、铯(Cs)和钡(Ba)中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述金属氟化物选自氟化锂、氟化钠和氟化钙中的至少一种;所述低功函数金属选自镱和钡中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述电子注入层为叠层结构,包括层叠设置的由所述金属氟化物形成的金属氟化物层和至少一层由所述低功函数金属形成的金属层;或者,
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