[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，用以形成沿所述半导体结构的高度方向贯穿介质层的通孔，所述制造方法包括：

提供衬底，其中，所述衬底中形成有所述半导体结构的前段器件，所述前段器件通过所述通孔电连接于所述半导体结构的后段金属线，所述衬底上部形成有覆盖所述衬底的所述介质层；

在对应所述前段器件的位置执行第一刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺在所述介质层的上部形成部分通孔；以及

执行第二刻蚀工艺，所述第二刻蚀工艺使所述通孔沿所述高度方向贯穿所述介质层，以暴露所述前段器件，其中，所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺使所形成的所述通孔的正交于所述高度方向的横截面在所述后段金属线的延伸方向的第一尺寸大于在垂直于所述延伸方向的第二尺寸；其中

所述第二刻蚀工艺包括设定刻蚀气体的解离功率为270-350W；

所述第二刻蚀工艺包括采用包含CF₄气体的气体组合，其中，所述CF₄气体在所述第二刻蚀工艺所采用的气体组合中的占比为25-40％。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括采用包含CF₄气体的气体组合，其中，所述CF₄气体在所述第一刻蚀工艺所采用的气体组合中的占比为20-35％。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述CF₄气体在所述第一刻蚀工艺所采用的气体组合中的占比为28％。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二刻蚀工艺中所设定的刻蚀气体的解离功率为280-330W。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二刻蚀工艺中所设定的刻蚀气体的所设定的解离功率为300W。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述CF₄气体在所述第二刻蚀工艺所采用的气体组合中的占比为35％。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一尺寸与所述第二尺寸的比值大于1.2。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一尺寸与所述第二尺寸的比值为1.2-1.5。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，执行所述第二刻蚀工艺还包括在所述介质层的上部形成沟槽，其中，所述后段金属线形成在所述沟槽中；以及

所述制造方法还包括，在执行所述第二刻蚀工艺前，在所述介质层的上表面形成图案化的硬掩膜层，所述图案化的硬掩膜层定义所述沟槽的刻蚀图案。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层为金属掩膜，和/或，所述硬掩膜层为的材质为TiN。

11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一尺寸与所述第二尺寸的比值为1.5-1.8。

12.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构通过如权利要求1-11中任一项所述的制造方法形成。