[发明专利]量子点发光二极管的制备方法

说明书

本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有底电极的基板，在所述底电极上制备量子点发光层；在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点；在经所述混合溶剂处理后的量子点发光层背离所述底电极的表面制备顶电极，其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。

背景技术

量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。

溶液加工法是制备QLED器件的常见方法，特别是随着技术的发展，采用喷墨打印技术制备量子点发光层变得常规。但是，采用溶液加工法如喷墨打印技术制备量子点发光层时，成膜过程中量子点墨水部分溶剂残留，特别是喷墨打印时，为了减缓打印干燥速度，量子点墨水中会添加高沸点溶剂，高沸点溶剂残留也会量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，旨在解决量子点发光层中残留的溶剂影响量子点发光二极管的发光效率的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；

在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，在量子点发光层的表面沉积溶液，其中，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。所述溶液在所述量子点发光层表面静置，对所述量子点发光层浸润的过程中，残留在量子点发光层中的原来量子点墨水中的溶剂被溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

如附图1所示，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

S10提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；