[发明专利]量子点发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；

在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点，所述主体溶剂选自直链中的碳原子数目小于20的醇类、直链中的碳原子数目小于20的酯类、直链中的碳原子数目小于20的酮类中的一种或两种以上的组合，所述溶质选自直链中的碳原子数目小于10的不饱和脂肪酸、直链中的碳原子数目小于10的饱和酸类、氨基酸、不饱和羧酸聚合物、肽及其衍生物、有机碱中的一种或两种以上的组合。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述直链中的碳原子数目小于20的醇类选自1-丙醇、1-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1,5-戊二醇、2,3-丁二醇；

所述直链中的碳原子数目小于20的酯类选自乙酸乙酯、丙酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、苯甲酸乙酯；

所述直链中的碳原子数目小于20的酮类选自丙酮、丁酮、3-戊酮、2-甲基4-辛酮。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述直链中的碳原子数目小于10的不饱和脂肪酸选自丙烯酸、丁烯酸、甲基丙烯酸、3-戊烯酸；

所述直链中的碳原子数目小于10的饱和酸类选自乙酸、丙酸、丁酸、戊酸；

所述氨基酸选自谷氨酸、半胱氨酸、天冬氨酸；

所述不饱和羧酸聚合物选自聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丁烯酸；

所述肽及其衍生物选自甘氨酰丙氨酸、谷胱甘肽、γ-L-谷氨酰-L-α-氨基丁酰基甘氨酸；

所述有机碱选自乙醇胺、四甲基氢氧化铵、苯胺、三乙醇胺。

4.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，以所述溶液的总重量为100％计，所述溶质的重量百分含量为0-0.5％，但不为0。

5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，以所述溶液的总重量为100％计，所述溶质的重量百分含量为0.0001％-0.05％。

6.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置10分钟-100分钟至所述量子点发光层被所述溶液浸润后进行干燥处理的步骤中。

7.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后，在温度为30℃-200℃的条件下进行加热进行干燥处理。

8.如权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后，在温度为50℃-100℃的条件下进行加热进行干燥处理。