[发明专利]一种香葱的高产种植方法

权利要求书

1.一种香葱的高产种植方法，其特征在于包括以下步骤：

1）整地：选择土地肥沃、土层深厚疏松的地块，精细整地，然后开沟起垄；

2）覆膜：接着在垄上覆盖可降解避光膜，膜上开设有种植孔；

3）播种：在种植孔中栽种香葱，每个种植孔中播种1-2粒葱头，播种深度为3-4公分，覆土至露芽1-2mm，然后浇透定植水；

4）施肥：

A、当香葱苗高5-8cm时上提苗肥，所述的提苗肥为尿素，施肥量为8-10kg/亩；

B、当香葱苗高12-15cm时，追施复合肥14-16kg/亩；

C、播种后45-50天，再次追施复合肥18-20kg/亩；

5）浇水：

生长前期，即播种后20天内，要小水勤浇，保证土壤表皮湿润即可；

生长中期，即播种后20-40天，加大浇水量，保证土壤湿润但未见明水；

生长后期，即播种45天后，浇透水，保证土壤中可见明水为宜。

2.根据权利要求1所述的香葱的高产种植方法，其特征在于步骤（1）所述的精细整地前需施入基肥，所述的基肥包括以下重量份的原料：腐熟农家肥400-600份、沙土20-80份、炉渣20-50份、绿肥50-100份。

3.根据权利要求2所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的绿肥为水葫芦、绿萍、黄花草木樨、田菁、毛蔓豆、薇甘菊中的任一种或多种。

4.根据权利要求2所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的基肥还包括印楝腐熟渣20-40份，所述的印楝腐熟渣的制备方法为取印楝树皮、树叶、去核果实作为原料，先将原料捣烂放入陶制容器中，然后加入原料2-4倍量的清水和1-2倍量的木醋液腐熟10-20天，腐熟过程中使用茅草覆盖容器，每天搅拌1-3次，腐熟结束后使用180-250目筛过滤，得到印楝腐熟渣和印楝腐熟液。

5.根据权利要求2所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的基肥的施入方法为先将绿肥直接翻压在地块中，12-15天后，将其余原料混合均匀，撒施在地块中即可。

6.根据权利要求4所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的印楝腐熟液分阶段喷施在香葱苗上，当苗高5-8公分时喷施一次，当苗高12-15公分时再喷施一次，播种后45-50天再喷施一次。

7.根据权利要求1所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的开沟起垄的沟深30公分，沟宽40公分，垄宽1.2m。

8.根据权利要求1所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的种植孔间的行距为13公分、株距为15公分，孔径为8公分。

9.根据权利要求1所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的复合肥为N：P：K=15:15:15的复合肥。

10.根据权利要求1所述的香葱的高产种植方法，其特征在于所述的施肥还包括施加有机肥，所述的有机肥的制备方法为收集蔬菜废弃叶，加入生物菌种和清水搅拌均匀，再加入草木灰，有氧发酵25-35天，即可；所述的有机肥的施加方法为从苗高12-15cm开始，每隔10-15天，使用所述有机肥灌根一次，直至采收。