[发明专利]存储系统和存储系统的操作方法有效

专利信息
申请号: 201811634890.6 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN110362420B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 郭康燮;金起业;尹荣俊 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储系统 操作方法
【权利要求书】:

1.一种存储系统,包括:

存储单元阵列,其适用于储存第一数据和第一奇偶校验位,所述第一奇偶校验位用于校正所述第一数据的错误;以及

错误校正电路,其适用于产生第二数据和第二奇偶校验位,所述第二奇偶校验位包括通过校正所述第一奇偶校验位的错误而得到的比特位和通过校正第二子奇偶校验位的错误而得到的比特位;

其中,所述错误校正电路包括:

单错误校正和双错误检测SECDED奇偶校验位发生器,其适用于产生第二预奇偶校验位,所述第二预奇偶校验位包括第一子奇偶校验位和第二子奇偶校验位;

校正子解码器,其适用于通过对校正子进行解码来产生第一奇偶校验位错误标志和第一数据错误标志;

SEC奇偶校验位校正器,其适用于基于所述第一奇偶校验位错误标志来校正所述第一奇偶校验位的错误;

DED奇偶校验位错误检测器,其适用于基于用于产生所述第二子奇偶校验位的第一数据的错误信息来产生第二子奇偶校验位错误标志;

DED奇偶校验位校正器,其适用于基于所述第二子奇偶校验位错误标志来校正所述第二子奇偶校验位的任何错误;以及

其中,所述错误校正电路还包括:

校正子发生器,其适用于根据汉明码通过对所述第一数据、所述第一子奇偶校验位和所述第一奇偶校验位执行XOR运算来产生所述校正子。

2.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述错误校正电路还包括:

数据校正器,其适用于通过校正所述第一数据的错误来产生第二数据。

3.根据权利要求1所述的存储系统,

其中,所述第一奇偶校验位错误标志表示所述第一奇偶校验位的错误位置信息;以及

其中,所述第一数据错误标志表示所述第一数据的错误位置信息。

4.根据权利要求1所述的存储系统,

其中,所述SECDED奇偶校验位发生器对根据汉明码在所述第一数据之中选择的数据比特位执行XOR运算。

5.根据权利要求1所述的存储系统,

其中,所述第二子奇偶校验位错误标志表示所述第二子奇偶校验位的错误存在信息。

6.根据权利要求1所述的存储系统,

其中,所述DED奇偶校验位错误检测器通过对所述第一数据的用于产生所述第二子奇偶校验位的比特位执行OR门控操作来检测所述第二子奇偶校验位的错误。

7.根据权利要求1所述的存储系统,

其中,当所述第二子奇偶校验位错误标志具有逻辑低电平时,所述DED奇偶校验位校正器输出所述第二子奇偶校验位而不做改变,以及

当所述第二子奇偶校验位错误标志具有逻辑高电平时,所述DED奇偶校验位校正器将所述第二子奇偶校验位反相,并输出所述第二子奇偶校验位的反相比特位。

8.根据权利要求2所述的存储系统,

其中,当所述第一数据错误标志的比特位之中的第一数据错误标志比特位具有逻辑低电平时,所述数据校正器输出所述第一数据的比特位之中的与所述第一数据错误标志比特位相对应的第一数据比特位而不做改变,以及

当所述第一数据错误标志比特位具有逻辑高电平时,所述数据校正器将所述第一数据比特位反相,并输出反相的第一数据比特位。

9.根据权利要求1所述的存储系统,

其中,当所述第一奇偶校验位错误标志的比特位之中的第一奇偶校验位错误标志比特位具有逻辑低电平时,所述SEC奇偶校验位校正器输出所述第一奇偶校验位的比特位之中的与所述第一奇偶校验位错误标志比特位相对应的第一奇偶校验位比特位而不做改变,以及

当所述第一奇偶校验位错误标志比特位具有逻辑高电平时,所述SEC奇偶校验位校正器将所述第一奇偶校验位比特位反相,并输出反相的第一奇偶校验位比特位。

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