[发明专利]纯化方法

说明书

提供了纯化方法，其包含：(a)提供有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂，其中所述有机溶剂具有标准大气压下的第一沸点(bp₁)，且所述酚类过氧化物形成抑制剂具有标准大气压下的第二沸点(bp₂)，满足以下不等式(I)：bp₂≤(1.10)(bp₁) (I)；和(b)将所述有机溶剂和所述酚类过氧化物形成抑制剂加热至使所述有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂蒸发的温度，和(ii)冷凝所述蒸发的有机溶剂和过氧化物形成抑制剂，以提供所述有机溶剂和过氧化物形成抑制剂的纯化混合物。所述方法特别适用于溶剂的纯化，所述溶剂可用于制造半导体装置的工艺化学品中。

背景技术

本发明大体上涉及化学纯化。更具体地，本发明涉及有机溶剂和过氧化物形成抑制剂的共纯化，以形成纯化的溶剂混合物。本发明特别适用于制备可用于电子工业的溶剂混合物。

在半导体制造工业中，装置制造中使用的工艺材料和其相关的原材料可能受到如有机过氧化物的过氧化物的污染。有机溶剂(如醚和酯)在大气氧存在下特别容易形成有机过氧化物。在敏感的有机溶剂中包括乳酸乙酯、丙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚和丙二醇单甲醚乙酸酯，其通常用于光刻材料中。在溶剂或含有溶剂的组合物的储存过程中可能发生这些溶剂中的过氧化物形成。光刻材料中过氧化物的存在会不利地影响所形成的图案，例如其厚度或临界尺寸。这可能导致形成的半导体装置中的缺陷和产量损失。从安全角度来看，半导体工艺化学品中存在过氧化物可能另外是有问题的。特别地，过氧化物会造成严重的火灾和爆炸危险，而且还可能具有毒性和腐蚀性。因此将希望最小化或消除有机溶剂中过氧化物的形成。

致力于最小化有机溶剂中过氧化物的形成，已经提出向纯化的有机溶剂中加入过氧化物形成抑制剂，例如在美国专利第3,221,030号中。然而，工业抑制剂含有污染纯溶剂的金属和/或高沸点杂质。这些杂质会对半导体制造工艺和所得到的电子装置产生不利影响，特别是在先进半导体装置的情况下，其中杂质减少的重要性日益增加。因此，将需要稳定形成过氧化物的溶剂同时最小化或避免金属和/或高沸点污染物的方法。

因此，本领域中需要改进的纯化方法，其解决了与现有技术水平相关的一个或多个问题。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供纯化方法。纯化方法包含：(a)提供有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂，其中有机溶剂具有标准大气压下的第一沸点(bp₁)，且酚类过氧化物形成抑制剂具有标准大气压下的第二沸点(bp₂)，满足以下不等式(I)：

bp₂≤(1.10)(bp₁) (I)；和

(b)将有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂加热至使有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂蒸发的温度，和(ii)冷凝蒸发的有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂，以提供有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂的纯化混合物。

附图说明

将参看以下附图描述本发明，在所述附图中：

图1是显示根据本发明纯化的过氧化物抑制溶剂和比较未抑制溶剂在4℃下的过氧化物含量随时间变化的图；且

图2是显示根据本发明纯化的过氧化物抑制溶剂和比较未抑制溶剂在35℃下的过氧化物含量随时间变化的图。

具体实施方式

为了解决与现有技术水平相关的一个或多个问题，已经开发了新的纯化方法，通过所述方法可以同时加工有机溶剂和酚类过氧化物形成抑制剂以形成这些组分的纯化混合物。本发明的方法特别适用于电子工业。