[发明专利]实现桥式电路防串通功能的电路结构

说明书

本发明涉及一种实现桥式电路防串通功能的电路结构，包括桥式电路模块，用于控制电路的输出；交流反馈通路功能电路模块，与所述的桥式电路模块相连接，用于对所述的桥式电路输出变化进行反馈再控制桥式电路。采用了本发明的实现桥式电路防串通功能的电路结构，避免造成PMOS0和NMOS0由于输出变化耦合造成的串通的问题，无论桥式电路的开关速度快或者慢都会自动的进行交流反馈，避免桥式电路发生串通的风险。

技术领域

本发明涉及电路控制领域，尤其涉及桥式电路控制，具体是指一种实现桥式电路防串通功能的电路结构。

背景技术

如图1所示，桥式电路在PMOS0由开启切换到关断、NMOS0由关断切换到开启时，其输出OUT会快速由高电平变为低电平，由于PMOS0的栅极（G）和漏极（D）以及PMOS0的栅极（G）和源极（S）各寄生了一个电容分别为CGDP和CGSP，那么CGDP和CGSP就会将OUT的变化分压后施加到PMOS0的栅极（G）上，这样很容易造成PMOS0二次导通，从而造成PMOS0和NMOS0串通；同样桥式电路在NMOS0由开启切换到关断、PMOS0由关断切换到开启时，其输出OUT会快速由低电平变为高电平，由于NMOS0的栅极（G）和漏极（D）以及NMOS0的栅极（G）和源极（S）各寄生了一个电容分别为CGDN和CGSN，那么CGDN和CGSN就会将OUT的变化分压后施加到NMOS0的栅极（G）上，这样很容易造成NMOS0二次导通，从而造成PMOS0和NMOS0串通；而且这个问题随着开关速度的提高会越来越严重。图2显示了串通发生瞬间（阴影部分）的各关键节点信号变化。

本发明的电路结构正好完美的解决了这个问题，无论桥式电路的开关速度快或者慢都会自动的进行交流反馈，避免桥式电路发生串通的风险。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种成本低、操作简便、适用范围较为广泛的实现桥式电路防串通功能的电路结构。

为了实现上述目的，本发明的实现桥式电路防串通功能的电路结构如下：

该实现桥式电路防串通功能的电路结构，其主要特点是，所述的电路结构包括：

桥式电路模块，用于控制电路的输出；

交流反馈通路功能电路模块，与所述的桥式电路模块相连接，用于对所述的桥式电路输出变化进行反馈再控制桥式电路。

较佳地，所述的桥式电路模块包括第一PMOS场效应管和第一NMOS场效应管，所述的第一PMOS场效应管和第一NMOS场效应管串接在电源和地之间。

较佳地，所述的交流反馈通路功能电路模块包括：

第一交流反馈通路模块，与所述的第一PMOS场效应管相连接，用于对所述的桥式电路模块输出的变化进行反馈；

第二交流反馈通路模块，与所述的第一NMOS场效应管相连接，用于对所述的桥式电路模块输出的变化进行反馈。

较佳地，所述的第一交流反馈通路模块包括第一电容、第一电阻和第二PMOS场效应管；

所述的第一电阻和第一电容串联接在电源与第一PMOS场效应管的源极之间；

所述的第二PMOS场效应管的漏极与栅极分别接在第一电阻的两端；

第二PMOS场效应管的源极与第一PMOS场效应管的栅极相连接；

所述的第一电容用于在第一PMOS场效应管关断以及第一NMOS场效应管开启时，通过CP耦合OUT的变化，将第二PMOS场效应管的栅极下拉并打开，从而拉住第一PMOS场效应管的栅极，以避免由于输出耦合造成的第一PMOS场效应管二次打开形成的桥式电路串通状态。

较佳地，所述的第二交流反馈通路模块包括第二电容、第二电阻和第二NMOS场效应管；