[发明专利]实现桥式电路防串通功能的电路结构

权利要求书

1.一种实现桥式电路防串通功能的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：

桥式电路模块，用于控制电路的输出；

交流反馈通路功能电路模块，与所述的桥式电路模块相连接，用于对所述的桥式电路输出变化进行反馈再控制桥式电路；

所述的桥式电路模块包括第一PMOS场效应管（PMOS0）和第一NMOS场效应管（NMOS0），所述的第一PMOS场效应管（PMOS0）的漏极与电源相连接，所述的第一PMOS场效应管（PMOS0）的源极与所述的第一NMOS场效应管（NMOS0）的漏极相连接，所述的第一NMOS场效应管（NMOS0）的源极与地相连接；

所述的交流反馈通路功能电路模块包括：

第一交流反馈通路模块，与所述的第一PMOS场效应管（PMOS0）相连接，用于对所述的桥式电路模块输出的变化进行反馈再控制桥式电路；

第二交流反馈通路模块，与所述的第一NMOS场效应管（NMOS0）相连接，用于对所述的桥式电路模块输出的变化进行反馈再控制桥式电路；

其中，所述的电路结构进一步包括以下三种结构之一：

结构一：所述的第一交流反馈通路模块包括以下电路结构：

所述的第一交流反馈通路模块包括第一电容（CP）、第一电阻（RP）和第二PMOS场效应管（PMOS1）；

所述的第一电阻（RP）和第一电容（CP）串联接在电源与第一PMOS场效应管（PMOS0）的源极之间；

所述的第二PMOS场效应管（PMOS1）的漏极与栅极分别接在第一电阻（RP）的两端；

第二PMOS场效应管（PMOS1）的源极与第一PMOS场效应管（PMOS0）的栅极相连接；

所述的第一电容（CP）用于在第一PMOS场效应管（PMOS0）关断以及第一NMOS场效应管（NMOS0）开启时，通过第一电容（CP）耦合OUT的变化，将第二PMOS场效应管（PMOS1）的栅极下拉并打开，从而拉住第一PMOS场效应管（PMOS0）的栅极，以避免由于输出耦合造成的第一PMOS场效应管（PMOS0）二次打开形成的桥式电路串通状态；

结构二：所述的第二交流反馈通路模块包括以下电路结构：

所述的第二交流反馈通路模块包括第二电容（CN）、第二电阻（RN）和第二NMOS场效应管（NMOS1）；

所述的第二电容（CN）和第二电阻（RN）依次串联接在第一NMOS场效应管（NMOS0）的漏极与地之间；

所述的第二NMOS场效应管（NMOS1）的漏极与栅极分别接在第二电阻（RN）的两端；

第二NMOS场效应管（NMOS1）的漏极与第一NMOS场效应管（NMOS0）的源极相连接；

所述的第二电容（CN）用于在第一PMOS场效应管（PMOS0）开启以及第一NMOS场效应管（NMOS0）关断时，通过第二电容（CN）耦合OUT的变化，将第二NMOS场效应管（NMOS1）的栅极上拉并打开，从而拉住第一NMOS场效应管（NMOS0）的栅极，以避免由于输出耦合造成的第一NMOS场效应管（NMOS0）二次打开形成的桥式电路串通状态；

结构三：所述的第一交流反馈通路模块包括以下电路结构：

所述的第一交流反馈通路模块包括第一电容（CP）、第一电阻（RP）和第二PMOS场效应管（PMOS1）；

所述的第一电阻（RP）和第一电容（CP）和串联接在电源与第一PMOS场效应管（PMOS0）的源极之间；

所述的第二PMOS场效应管（PMOS1）的漏极与栅极分别接在第一电阻（RP）的两端；

第二PMOS场效应管（PMOS1）的源极与第一PMOS场效应管（PMOS0）的栅极相连接；

所述的第一电容（CP）用于在第一PMOS场效应管（PMOS0）关断以及第一NMOS场效应管（NMOS0）开启时，通过第一电容（CP）耦合OUT的变化，将第二PMOS场效应管（PMOS1）的栅极下拉并打开，从而拉住第一PMOS场效应管（PMOS0）的栅极，以避免由于输出耦合造成的第一PMOS场效应管（PMOS0）二次打开形成的桥式电路串通状态；且，

所述的第二交流反馈通路模块包括以下电路结构：

所述的第二交流反馈通路模块包括第二电容（CN）、第二电阻（RN）和第二NMOS场效应管（NMOS1）；

所述的第二电容（CN）和第二电阻（RN）依次串联接在第一NMOS场效应管（NMOS0）的漏极与地之间；

所述的第二NMOS场效应管（NMOS1）的漏极与栅极分别接在第二电阻（RN）的两端；

第二NMOS场效应管（NMOS1）的漏极与第一NMOS场效应管（NMOS0）的源极相连接；

所述的第二电容（CN）用于在第一PMOS场效应管（PMOS0）开启以及第一NMOS场效应管（NMOS0）关断时，通过第二电容（CN）耦合OUT的变化，将第二NMOS场效应管（NMOS1）的栅极上拉并打开，从而拉住第一NMOS场效应管（NMOS0）的栅极，以避免由于输出耦合造成的第一NMOS场效应管（NMOS0）二次打开形成的桥式电路串通状态。