[发明专利]基于图形参数空间调整光刻模型覆盖特殊结构的方法

说明书

本发明将特殊结构加入到光刻模型数据中，在标准图形参数空间的基础上，通过对其中部分数据结构的比重数值进行调整，继而实现对光刻模型进行微调，改善原有光刻模型的目标，在对原有数据模拟图形不产生变化或变化很小的前提下，使得新光刻模型再次能够覆盖特殊结构。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，涉及调整光刻模型覆盖特殊结构的方法。

背景技术

根据摩尔定律，半导体领域技术节点不断逐年减小，掩模版上的光学临近效应越来越显著，更多技术和方法逐步加入到半导体制造领域：曝光辅助图形，光刻模型，光源和掩模版的同步优化，反演光刻技术以及多次曝光技术等。其中的光刻模型有助于对掩模版上光学临近效应的修正，从而避免掩模版的重复出版并缩短新技术的研发周期。因为光刻模型是对特定光刻曝光系统和曝光显影过程的数学再现，因此曝光系统和光刻工艺条件的改变，都不可避免会对光刻模型产生相应的影响。

光刻模型是在大量测试图形量测数据的基础上建立的，使用图形参数空间可以对模型中测试图形的覆盖范围进行表征。在研发过程中由于一些原因改变曝光系统或者光刻工艺条件时，光刻模型也需要作相应的改变：(1)当改变不会对图形曝光产生影响时，可以沿用原先的光刻模型；(2)当改变会对图形曝光产生明显影响时，则需要建立新的光刻模型。

当改变只对某些特殊结构产生影响时，即原有光刻模型无法再次覆盖这些特殊结构，如果直接使用原有光刻模型将会导致产品良率难以提升；如果需要建立全新的光刻模型，则会耗费大量的时间和资源，从而增加过多的研发成本。

发明内容

本发明提供一种基于图形参数空间调整光刻模型覆盖特殊结构的方法，其目的在于在工艺参数条件变化时，对受影响的特殊结构的光刻模型进行修正，能够在对原有数据模拟图形不产生变化或变化很小的前提下，使得新光刻模型再次能够覆盖特殊结构，提高产品的良率，同时还可以节约时间成本和资源成本等研发成本。

为了达成前述目的，本发明提供了一种基于图形参数空间调整光刻模型覆盖特殊结构的方法，一种基于图形参数空间调整光刻模型覆盖特殊结构的方法，具有：

一标准图形参数，该标准图形参数的一集合为一标准图形参数空间；

一特殊结构的图形，使用该光刻模型对该特殊结构的图形进行模拟计算，得到该特殊结构的模拟图形，并得到该特殊结构在该标准图形参数空间中所映射的点，确定该特殊结构在该标准图形参数空间中的分布情况。

优选地，还具有一测试图形数据集合一，在该光刻模型中对该测试图形数据进行模拟计算得到该测试图形数据在该标准图形参数空间中所映射的点，确定该测试图形数据在该标准图形参数空间中的分布情况。

优选地，该测试图形数据对应一比重数值，根据该测试图形数据在该标准图形参数空间中的映射关系，确定该比重数值在该标准图形参数空间中的分布情况。

优选地，对比该特殊结构在该标准图形参数空间中的分布情况和该测试图形数据在该标准图形参数空间中的分布情况，筛选出与该特殊结构在该标准图形参数空间分布区域相同的测试图形数据，将测试图形集合一分成两部分：在相同区域的测试图形集合二，和不在同一区域的测试图形集合三。

优选地，对比该测试图形数据对应的比重数值在该标准图形参数空间中的分布情况，对该特殊结构设置一与特殊结构相对应的比重数值。

优选地，对比该测试图形数据对应的比重数值在该标准图形参数空间中的分布情况，对该特殊结构设置一与特殊结构相对应的比重数值，对测试图形集合二中的数据设置相对应的比重数值。

优选地，具有一光刻模型数据的集合包含该特殊结构的光刻模型数据和比重数值、测试图形集合三、和调整比重数值后的测试图形集合二，该特殊结构的光刻模型数据和比重数值在该标准图形参数空间中对应一新的点。