[发明专利]一种晶圆刮边机及其使用方法在审
| 申请号： | 201811625551.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109494148A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 方福贵;郭海亮 | 申请（专利权）人： | 苏州邱伦智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人： | 王悦 |
| 地址： | 215137 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刮边 晶圆 固定平台 输送模块 吸盘 动力组件 取料模块 倒角刀 台板 种晶 驱动 固定组件 检测模块 驱动组件 生产效率 周向分布 机械手 上端 镀层 料盒 沉积 | ||
本发明公开了一种晶圆刮边机及其使用方法，所述刮边机包括：机架，其上设置有固定平台和台板，沿着所述固定平台的周向分布有多个用于放置晶圆的料盒；取料模块，其设置于所述固定平台上，所述取料模块包括有用于吸取晶圆的吸盘以及驱动所述吸盘的机械手；输送模块，其设置在所述台板上，所述输送模块上设置有Y轴动力组件以及设置在所述Y轴动力组件上的固定组件；刮边模块，其设置在所述输送模块的上端，所述刮边模块上设置有倒角刀以及驱动所述倒角刀上下以及横向移动的驱动组件；检测模块，其包括第一CCD相机和对刀仪。本发明提供的晶圆刮边机能够将晶圆四周的沉积和镀层刮去，花费时间短，大大提高了生产效率。
技术领域
本发明涉及自动化设备技术领域，具体的，本发明涉及一种晶圆刮边机及其使用方法。
背景技术
晶圆是制造半导体芯片的基本材料，在晶圆周围会有沉积和镀层，在进行取晶粒操作时，首先需要把晶圆的周围沉积和镀层刮掉，然后再对晶圆表面的玻璃片进行研磨处理以获取晶粒，现在常用的去除晶圆周围沉积和镀层的方法是采用加工中心进行处理，在加工机床上，先采用探针对晶圆的四周进行位置探测，再采用刀具将晶圆周围沉积和镀层切削掉，由于探针探测需要花费大量时间，故采用加工中心进行处理时，一般需要花费90～120秒的时间，花费的时间较长，生产效率低。
发明内容
针对现有技术中存在的不足之处，本发明的目的是提供一种晶圆刮边机及其使用方法，所述晶圆刮边机上具有用于切削的倒角刀，在利用第一CCD相机对晶圆边缘位置进行检测后，倒角刀能够自动将晶圆周围的沉积和镀层刮除，花费时间短，大大提高了生产效率。
第一方面，本发明披露了一种晶圆刮边机，包括：
机架，其上设置有固定平台和台板，所述台板置于所述固定平台的一侧，沿着所述固定平台的周向分布有多个用于放置晶圆的料盒；
取料模块，其设置于所述固定平台上，所述取料模块包括有用于吸取晶圆的吸盘以及驱动所述吸盘的机械手；
输送模块，其设置在所述台板上，所述输送模块上设置有Y轴动力组件以及设置在所述Y轴动力组件上的固定组件，所述固定组件用于承载晶圆，所述Y轴动力组件驱动所述固定组件沿着所述机架的纵向移动；
刮边模块，其设置在所述输送模块的上端，所述刮边模块上设置有倒角刀以及驱动所述倒角刀上下以及横向移动的驱动组件；
检测模块，其包括第一CCD相机、第二CCD相机和对刀仪，所述第一CCD相机设置在所述倒角刀的一侧，用于获取固定组件上的晶圆边缘的坐标，所述第二CCD相机设置在所述吸盘的移动路径上，用于获取吸盘上的晶圆的坐标，所述对刀仪设置在所述固定组件的一侧，用于检测所述倒角刀的高度。
优选地，所述料盒的内侧面均匀间隔设置有多个用于放置晶圆的隔板，相邻两个所述隔板之间的间隙大于晶圆的厚度，且所述隔板厚度与间隙之和大于所述吸盘厚度与晶圆厚度之和。
优选地，所述吸盘为U型板状结构，所述吸盘中间设有一容腔，且在所述吸盘上设置有吸孔以及挡板。
优选地，所述Y轴动力组件包括：设置在所述台板上的第一丝杆以及活动设置在所述第一丝杆上的第一螺母，且所述第一丝杆由一第一电机驱动旋转。
优选地，所述固定组件包括：
Y轴平台，其固定在所述第一螺母上；
光源固定板，其设置在所述Y轴平台上，在所述光源固定板的中心开设有第一圆形通槽；
底板，其通过多个支撑架固定在所述光源固定板的上方，在所述底板的两侧分别设置有一第一滑轨，在所述第一滑轨上活动设置有多个第一滑块，且在所述底板的中心开设有第二圆形通槽；
环形光源，其设置在所述第二圆形通槽内，且所述环形光源通过多个光源支撑架固定在所述光源固定板上；
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州邱伦智能科技有限公司，未经苏州邱伦智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811625551.1/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法
- 下一篇：半导体结构的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
