[发明专利]一种推挽输出电路

说明书

本发明公开了一种推挽输出电路，包括：第一模块和第二模块；所述第一模块包括两个相同的NOMS场效应管，输入信号分别输入至所述第一模块的该两个相同的NOMS场效应管，用于将所述输入信号分离为两个相同的信号，且所述第一模块将该两个相同的信号分别输入至所述第二模块；所述第二模块为推挽输出电路，包括两个不同极性的晶体管，用于实现轨到轨输出。本发明适用于输入驱动电流小，输出要求轨到轨，工作电压较宽，输出驱动电流大的场合。且对本发明的一种推挽输出电路单独进行集成，可以生成输出驱动芯片。

技术领域

本发明涉及推挽电路技术领域，尤其是一种推挽输出电路，用于实现轨到轨输出。

背景技术

常用的推挽输出电压为供电电源的电压减去一个PN结电压，而轨到轨输出为供电电源的电压减去一个大约不到100mV的电压，因此，常用的推挽输出电路不能实现轨到轨输出，且目前还没有单独的实现轨到轨输出的集成输出驱动芯片。

发明内容

为了克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种推挽输出电路，适用于输入驱动电流小，输出要求轨到轨，工作电压较宽，输出驱动电流大的场合。且对本发明的一种推挽输出电路单独进行集成，可以生成输出驱动芯片。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案，包括：

一种推挽输出电路，所述推挽电路包括：第一模块和第二模块；

所述第一模块包括两个相同的NOMS场效应管，输入信号分别输入至所述第一模块的该两个相同的NOMS场效应管，用于将所述输入信号分离为两个相同的输出信号，且所述第一模块将该两个相同的输出信号分别输入至所述第二模块；

所述第二模块为推挽输出电路，用于实现轨到轨输出。

所述第一模块的元器件包括：电阻R1、电阻R2，以及两个相同的NOMS场效应管即Q1:A和Q1:B，其中，

所述Q1:A的栅极G与所述输入端Vin相连接；所述Q1:A的源极S接地；所述Q1:A的漏极与所述电阻R1相连接；

所述电阻R1的一端与所述Q1:A的漏极D相连接，另一端与电源Vcc1相连接；

所述Q1:B的栅极G也与所述输入端Vin相连接；所述Q1:B的源极S接地；所述Q1:B的漏极与所述电阻R2相连接；

所述电阻R2的一端与所述Q1:B的漏极D相连接，另一端与电源Vcc2相连接；

所述第二模块的元器件包括：电阻R3、电阻R4、电阻R5，以及两个不同极性的晶体管即Q2:A和Q2:B。其中，

所述Q2:A为PNP三极管或PMOS场效应管，用于高端驱动；所述Q2:B相应的为NPN三级管或NMOS场效应管，用于低端驱动；

所述Q2:A的基极B与所述电阻R3相连接；所述Q2:A的发射极E与电源Vcc3相连接；所述Q2:A的集电极C与所述电阻R4相连接；

所述电阻R3的一端与所述Q2:A的基极B相连接，另一端与所述Q1:A的漏极D相连接；

所述电阻R4一端与所述Q2:A的集电极C相连接；所述电阻R4的另一端既与所述电阻R5相连接，且所述电阻R4的另一端还与输出端Vout相连接；

所述电阻R5的一端与所述Q2:B的集电极C相连接；所述电阻R5另一端既与所述电阻R4相连接，且所述电阻R5的该另一端还与输出端Vout相连接；

所述Q2:B的基极B与所述Q1:B的漏极D相连接；所述Q2:B的发射极E接地；所述Q2:B的集电极C与所述电阻R5相连接。

所述电阻R1用于保证Q2:A能可靠截止，所述电阻R1的阻值为大于或等于10千欧。