[发明专利]一种推挽输出电路在审
| 申请号： | 201811625496.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109656298A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 白宇;余健;夏宜铭;吴求玉 | 申请（专利权）人： | 安徽沃巴弗电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 王挺 |
| 地址： | 237000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 推挽输出电路 第一模块 场效应管 输出驱动电流 输出驱动芯片 输入驱动电流 工作电压 输出要求 信号分离 晶体管 输出 | ||
1.一种推挽输出电路，其特征在于，所述推挽电路包括：第一模块和第二模块；
所述第一模块包括两个相同的NOMS场效应管，输入信号分别输入至所述第一模块的该两个相同的NOMS场效应管，用于将所述输入信号分离为两个相同的输出信号，且所述第一模块将该两个相同的输出信号分别输入至所述第二模块；
所述第二模块为推挽输出电路，用于实现轨到轨输出。
2.根据权利要求1所述的一种推挽输出电路，其特征在于，
所述第一模块的元器件包括：电阻R1、电阻R2，以及两个相同的NOMS场效应管即Q1:A和Q1:B，其中，
所述Q1:A的栅极G与所述输入端Vin相连接；所述Q1:A的源极S接地；所述Q1:A的漏极与所述电阻R1相连接；
所述电阻R1的一端与所述Q1:A的漏极D相连接，另一端与电源Vcc1相连接；
所述Q1:B的栅极G也与所述输入端Vin相连接；所述Q1:B的源极S接地；所述Q1:B的漏极与所述电阻R2相连接；
所述电阻R2的一端与所述Q1:B的漏极D相连接，另一端与电源Vcc2相连接；
所述第二模块的元器件包括：电阻R3、电阻R4、电阻R5，以及两个不同极性的晶体管即Q2:A和Q2:B。其中，
所述Q2:A为PNP三极管或PMOS场效应管，用于高端驱动；所述Q2:B相应的为NPN三级管或NMOS场效应管，用于低端驱动；
所述Q2:A的基极B与所述电阻R3相连接；所述Q2:A的发射极E与电源Vcc3相连接；所述Q2:A的集电极C与所述电阻R4相连接；
所述电阻R3的一端与所述Q2:A的基极B相连接，另一端与所述Q1:A的漏极D相连接；
所述电阻R4一端与所述Q2:A的集电极C相连接；所述电阻R4的另一端既与所述电阻R5相连接，且所述电阻R4的另一端还与输出端Vout相连接；
所述电阻R5的一端与所述Q2:B的集电极C相连接；所述电阻R5另一端既与所述电阻R4相连接，且所述电阻R5的该另一端还与输出端Vout相连接；
所述Q2:B的基极B与所述Q1:B的漏极D相连接；所述Q2:B的发射极E接地；所述Q2:B的集电极C与所述电阻R5相连接。
3.根据权利要求2所述的一种推挽输出电路，其特征在于，所述电阻R1用于保证Q2:A能可靠截止，所述电阻R1的阻值为大于或等于10千欧。
4.根据权利要求2所述的一种推挽输出电路，其特征在于，
所述电阻R2和所述电阻R3的阻值相等，用于保证Q2:A的基极B和Q2:B的基极B均能获得相同大小的偏流；
所述电阻R4和所述电阻R5的阻值相等，用于保证输出信号的一致性。
5.根据权利要求2所述的一种推挽输出电路，其特征在于，
所述Q1:A和所述Q1:B的型号均为FDC6561；
所述Q2:A和所述Q2:B的型号均为HN1B01FDW1T。
6.根据权利要求2所述的一种推挽输出电路，其特征在于，电源Vcc1、电源Vcc2、电源Vcc3均作为电路的供电电源，且采用同一个供电电压为Vcc的供电电源。
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