[发明专利]振荡器电路及其修调方法

说明书

本发明提供一种振荡器电路及其修调方法，振荡器电路包括：第一基准电流产生电路，其产生正温度系数的第一基准电流和第二基准电流；第二基准电流产生电路，其产生可修调的负温度系数的第三基准电流；参考电压产生电路，其基于第一基准电流产生参考电压；分压电路，其对参考电压进行分压得到可修调的振荡基准电压；振荡信号产生电路，其包括：储能器件，其被第二基准电流和第二基准电流合并后充电；放电开关；振荡比较电路，其用于比较振荡基准电压和储能器件的充电电压，并在比较结果为第一种结果时控制放电开关开启，在比较结果为第二种结果时控制所述放电开关关断。与现有技术相比，本发明对振荡器电路进行修调后，可以提高振荡信号的精度。

【技术领域】

本发明属于振荡器领域，特别涉及一种高精度振荡器电路及其修调方法。

【背景技术】

在一些需要高精度时钟信号的应用领域，往往采用振荡频率不受电源、温度和工艺影响的晶振来产生时钟信号，但这种方式需要额外增加芯片引脚，而且不能和芯片集成在一起，无疑增加了应用成本。

因此，有必要提出一种改进方案来克服上述问题。

【发明内容】

本发明的目的之一在于提供一种振荡器电路，其能够提供高精度的振荡信号。

本发明的目的之二在于提供一种振荡器电路的修调方法，其对所述振荡器电路进行修调后可以提高振荡信号的精度。

根据本发明的一个方面，本发明提供一种振荡器电路，其包括：第一基准电流产生电路，其被设置的产生正温度系数的第一基准电流和正温度系数的第二基准电流；第二基准电流产生电路，其被设置的产生可修调的负温度系数的第三基准电流；参考电压产生电路，其被设置的基于所述第一基准电流产生参考电压；分压电路，其被设置的对所述参考电压进行分压得到可修调的振荡基准电压；振荡信号产生电路，其包括：储能器件，其被第二基准电流和第二基准电流合并后充电；放电开关；振荡比较电路，其用于被设置的比较所述振荡基准电压和所述储能器件的充电电压，并在比较结果为第一种结果时控制所述放电开关对所述储能器件进行放电以将所述储能器件的充电电压放电至初始电位，在比较结果为第二种结果时控制所述放电开关停止对所述储能器件进行放电。

进一步的，第一基准电流产生电路，其包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一电阻、第一双极型晶体管和第二双极型晶体管，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的源极均与电源端相连，它们的栅极也互相连接，第一PMOS晶体管的漏极与其栅极相连，第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连，第一电阻连接于第一NMOS晶体管的源极和第一双极型晶体管的发射极之间，第一双极型晶体管的基极和集电极均与接地端相连，第二PMOS晶体管的漏极与第二NMOS晶体管的漏极相连，第二NMOS晶体管的栅极与其漏极以及第一NMOS晶体管的栅极相连，第二NMOS晶体管的源极与第二双极型晶体管的发射极相连，第二双极型晶体管的基极和集电极均与接地端相连，第三PMOS晶体管的漏极作为第一基准电流产生电路的第一输出端输出第一基准电流；第五PMOS晶体管的源极作为第一基准电流产生电路的第二输出端输出第二基准电流。