[发明专利]振荡器电路及其修调方法

权利要求书

1.一种振荡器电路，其特征在于，其包括：

第一基准电流产生电路，其包括第一电阻、第一双极型晶体管和第二双极型晶体管，其被设置的产生正温度系数的第一基准电流和正温度系数的第二基准电流；

第二基准电流产生电路，其包括可修调的第六PMOS晶体管、第五电阻、第四双极型晶体管，其被设置的产生可修调的负温度系数的第三基准电流；

参考电压产生电路，其被设置的基于所述第一基准电流产生参考电压；

分压电路，其被设置的对所述参考电压进行分压得到可修调的振荡基准电压；

振荡信号产生电路，其包括：储能器件，其被第二基准电流和第三基准电流合并后充电；放电开关；振荡比较电路，其用于被设置的比较所述振荡基准电压和所述储能器件的充电电压，并在比较结果为第一种结果时控制所述放电开关对所述储能器件进行放电以将所述储能器件的充电电压放电至初始电位，在比较结果为第二种结果时控制所述放电开关停止对所述储能器件进行放电，

所述参考电压产生电路包括运算放大器、第二电阻、第三双极型晶体管、第四PMOS晶体管，

运算放大器的第一输入端与所述第一基准电流产生电路的输出第一基准电流的第一输出端相连，

第二电阻的一端与第一基准电流产生电路的第一输出端相连，第二电阻的另一端与第三双极型晶体管的发射极相连，第三双极型晶体管的集电极和基极与接地端相连，

运算放大器的输出端与第四PMOS晶体管的栅极相连，

第四PMOS晶体管的源极接电源端，其漏极与所述运算放大器的第二输入端相连，第四PMOS晶体管的漏极作为所述参考电压产生电路的输出端输出所述参考电压，

所述分压电路包括串联于所述参考电压产生电路的输出所述参考电压的输出端和接地端之间的第三电阻、可修调电阻和第四电阻，其中所述可修调电阻和第四电阻的中间节点作为所述分压电路的输出端输出所述可修调的振荡基准电压，通过对所述可修调电阻的修调来实现对所述振荡基准电压的修调。

2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，

第一基准电流产生电路，其还包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管，

第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的源极均与电源端相连，它们的栅极也互相连接，第一PMOS晶体管的漏极与其栅极相连，

第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连，第一电阻连接于第一NMOS晶体管的源极和第一双极型晶体管的发射极之间，第一双极型晶体管的基极和集电极均与接地端相连，

第二PMOS晶体管的漏极与第二NMOS晶体管的漏极相连，第二NMOS晶体管的栅极与其漏极以及第一NMOS晶体管的栅极相连，第二NMOS晶体管的源极与第二双极型晶体管的发射极相连，第二双极型晶体管的基极和集电极均与接地端相连，

第三PMOS晶体管的漏极作为第一基准电流产生电路的第一输出端输出第一基准电流；

第五PMOS晶体管的源极作为第一基准电流产生电路的第二输出端输出第二基准电流。