[发明专利]一种控制M.3 SSD中PWDIS信号的系统及方法有效

专利信息
申请号: 201811620042.X 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109710193B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 李成龙 申请(专利权)人: 郑州云海信息技术有限公司
主分类号: G06F13/38 分类号: G06F13/38
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 李修杰
地址: 450018 河南省郑州市*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 控制 ssd pwdis 信号 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种控制M.3 SSD中PWDIS信号的系统,其特征在于,所述系统包括:第一控制模块、第二控制模块、或门、Switch芯片以及M.3连接器,所述或门的输入端分别与第一控制模块和第二控制模块连接,所述或门的输出端依次通过所述Switch芯片和M.3连接器与M.3 SSD连接;

所述第一控制模块,用于解析来自CPU的VPP信号,根据所述VPP信号输出相应电平的第一PWDIS信号,以及根据M.3 SSD的在位信息控制Switch芯片的通断;

所述第二控制模块,用于解析来自BMC的I2C信号,根据所述I2C信号输出相应电平的第二PWDIS信号,以及将M.3 SSD的在位信息传输至BMC;

所述或门,用于将所述第一PWDIS信号和第二PWDIS信号进行或运算,获取PWDIS信号;

其中,所述第一控制模块为一CPLD,所述第二控制模块为一I2C扩展芯片;

所述CPLD,用于获取来自CPU的VPP信号,当VPP信号中的PWREN#bit为低电平时,CPLD输出低电平的第一PWDIS信号,当VPP信号中的PWREN#bit为高电平时,CPLD输出高电平的第一PWDIS信号;

所述I2C扩展芯片,用于获取来自BMC的I2C信号,当I2C信号中控制M.3 SSD下电的bit为高电平时,I2C扩展芯片输出高电平的第二PWDIS信号,当I2C信号中控制M.3 SSD下电的bit为低电平时,I2C扩展芯片输出低电平的第二PWDIS信号。

2.根据权利要求1所述的一种控制M.3 SSD中PWDIS信号的系统,其特征在于,所述I2C扩展芯片为PCA9555芯片。

3.根据权利要求1或2所述的一种控制M.3 SSD中PWDIS信号的系统,其特征在于,所述系统中还包括一下拉电阻,所述下拉电阻设置于所述Switch芯片与M.3连接器之间的信号线上。

4.一种控制M.3 SSD中PWDIS信号的方法,其特征在于,所述方法包括:

利用CPLD解析来自CPU的VPP信号,并根据所述VPP信号输出相应电平的第一PWDIS信号,以及根据M.3 SSD的在位信息控制Switch芯片的通断;

利用I2C扩展芯片解析来自BMC的I2C信号,并根据所述I2C信号输出相应电平的第二PWDIS信号,以及将M.3 SSD的在位信息传输至BMC;

对所述第一PWDIS信号和第二PWDIS信号进行或运算,获取PWDIS信号;

所述PWDIS信号经由Switch芯片和M.3连接器传输至M.3 SSD;

其中,所述利用CPLD解析来自CPU的VPP信号,并根据所述VPP信号输出相应电平的第一PWDIS信号,包括:

CPLD获取来自CPU的VPP信号;

当VPP信号中的PWREN#bit为低电平时,CPLD输出低电平的第一PWDIS信号;

当VPP信号中的PWREN#bit为高电平时,CPLD输出高电平的第一PWDIS信号;

所述利用I2C扩展芯片解析来自BMC的I2C信号,并根据所述I2C信号输出相应电平的第二PWDIS信号,包括:

I2C扩展芯片获取来自BMC的I2C信号;

当I2C信号中控制M.3 SSD下电的bit为高电平时,I2C扩展芯片输出高电平的第二PWDIS信号;

当I2C信号中控制M.3 SSD下电的bit为低电平时,I2C扩展芯片输出低电平的第二PWDIS信号。

5.根据权利要求4所述的一种控制M.3 SSD中PWDIS信号的方法,其特征在于,所述方法还包括:

检测M.3 SSD的在位信息并分别回传给BMC和CPU;

根据M.3 SSD的在位信息控制Switch芯片的通断。

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