[发明专利]防溅装置及腐蚀工艺反应设备有效
申请号: | 201811619002.3 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109698149B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 黄鑫亮;夏楠君;王勇威;范文斌;李元升;张伟锋;祝福生;吴光庆;吴娖;陈苏伟;王文丽 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 腐蚀 工艺 反应 设备 | ||
本发明涉及一种防溅装置及腐蚀工艺反应设备,前者包括防溅筒、升降挡板以及挡板驱动装置,防溅筒的顶部和底部分别具有开口,且防溅筒能够套设于腐蚀工艺反应设备的反应台的周面上且与周面之间形成导流间隙,升降挡板与防溅筒固定连接,挡板驱动装置与升降挡板传动连接,用于驱动升降挡板带动防溅筒进行升降运动;后者包括前者。本发明提供的防溅装置及腐蚀工艺反应设备能够防止化学反应液在冲蚀过程中向外飞溅到工艺设备的内腔壁,具有结构简单、可防止工艺设备的内腔壁腐蚀损坏的优点。
技术领域
本发明涉及腐蚀工艺设备技术领域,尤其是涉及一种用于防溅装置及腐蚀工艺反应设备。
背景技术
随着半导体进入微纳米时代,对制造工艺提出了更大的挑战,在半导体元件湿法腐蚀工艺过程中,会对放置在工艺设备的反应台上的半导体元件(例如晶圆)通过化学反应液进行冲刷腐蚀以及通过清洗液进行冲刷清洗。
但是现有技术中的方法直接对半导体元件冲蚀或冲刷清洗,会导致一系列的问题。例如,会导致化学反应液在冲蚀过程中向外飞溅到工艺设备的内腔壁,造成腐蚀损坏;而且化学反应液和清洗液与半导体元件冲刷后的废液在反应台上不能较好的引流汇聚,不仅导致废液的难于收集,而且散布在反应台废液在内腔中挥发还会进一步污蚀工艺设备。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明总体背景技术的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成本领域技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供一种防溅装置及腐蚀工艺反应设备。
该防溅装置应用于腐蚀工艺设备,能够防止化学反应液在冲蚀过程中向外飞溅到工艺设备的内腔壁,具有结构简单、可防止工艺设备的内腔壁腐蚀损坏的优点。
该腐蚀工艺反应设备包括上述的防溅装置,能实现上述的防溅装置所以有益效果,在此不再赘述。
为实现本发明的目的采用如下的技术方案:
第一技术方案的发明为一种防溅装置,应用于腐蚀工艺反应设备,所述防溅装置包括防溅筒、升降挡板以及挡板驱动装置,
所述防溅筒的顶部和底部分别具有开口,且所述防溅筒能够套设于腐蚀工艺反应设备的反应台的周面上且与所述周面之间形成导流间隙;
所述升降挡板与所述防溅筒固定连接;
所述挡板驱动装置与所述升降挡板传动连接,用于驱动所述升降挡板带动所述防溅筒进行升降运动。
另外,第二技术方案的防溅装置,在第一技术方案的防溅装置基础上,所述防溅装置还包括限位框,
所述限位框包括水平顶框以及分别垂直于所述水平顶框分布于所述水平顶框的两端的第一竖直侧框和第二竖直侧框,
且在所述第一竖直侧框和所述第二竖直侧框的相互面对的相对面上分别设置有沿竖直方向延伸的导向槽,
所述升降挡板以能够沿所述导向槽上下滑动的方式与所述限位框连接。
另外,第三技术方案的防溅装置,在第二技术方案的防溅装置基础上,在所述水平顶框的朝向所述升降挡板的框面上还设置有高压喷气孔,且所述高压喷气孔通过导气管路与高压气泵连接。
另外,第四技术方案的防溅装置,在第一技术方案的防溅装置基础上,所述挡板驱动装置包括气缸、驱动连接板和升降连接板,
所述驱动连接板与所述气缸的活塞杆的输出端连接,且所述驱动连接板通过所述升降连接板与所述升降挡板连接。
另外,第五技术方案的防溅装置,在第一技术方案的防溅装置基础上,所述挡板驱动装置包括步进电机、齿轮齿条传动机构、驱动连接板和升降连接板,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所),未经北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造